新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnP的电子结构和光学性质

发布时间：2017-12-13 17:16

  本文关键词：新型稀磁半导体Mn掺杂LiZnP的电子结构和光学性质

  更多相关文章： Mn掺LiZnP 电子结构 光学性质 第一性原理计算

【摘要】：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiZnP、Mn掺杂LiZnP、Li过量和不足时Mn掺杂LiZnP体系进行了几何结构优化,计算并分析了体系的电子结构、半金属性、态密度及光学性质.结果表明:LiZnP新型稀磁半导体可以实现自旋和电荷注入机制的分离.Mn的掺入使体系产生自旋极化杂质带,自旋极化率达到100%,表现出半金属铁磁性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时杂质带宽度增大,半金属性增强,居里温度提高,形成能最低.进一步比较光学性质发现:Mn掺入后体系光学性质没有明显变化,但随Li的化学计量数的改变,介电函数虚部会在低能区中出现新的介电峰,同时复折射率函数对低频电磁波吸收明显加强,且能量损失在Li过量时最小.
【作者单位】： 重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室;重庆科技学院微纳复合材料与器件重庆市重点实验室;
【基金】：重庆市基础与前沿研究计划项目(cstc2014jcyj A50005) 重庆师范大学教育名师培育计划项目(02030307-00031) 重庆科技学院院士专家重点实验室合作项目(CQKL-1505) 国家创新创业训练计划项目(201510637017)
【分类号】：O469;O472
【正文快照】： (1.Chongqing Key Laboratory of Photoelectric Functional Materials,College of Physics and Electronic Engineering,Chongqing Normal University,Chongqing 401331,China;2.Chongqing Key Laboratory of Nano/Micro Composite Materials and Devices,Chongqing Universi

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本文编号：1285934