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激光辅助阳极键合方法及实验研究

发布时间:2017-12-14 19:05

  本文关键词:激光辅助阳极键合方法及实验研究


  更多相关文章: 激光辅助阳极键合 硼硅玻璃 过渡层


【摘要】:为了提高MEMS微器件成品的封装质量和效率,本文自主设计了新型的激光辅助阳极键合技术系统,并将其运用于硼硅玻璃BF33与硅的键合实验,成功实现了硅与玻璃在低功率下局部区域的完好键合.采用扫描电子显微镜对键合样本界面的微观结构进行分析,结果表明:在玻璃/硅的键合界面有明显的过渡层生成.使用能谱仪测定玻璃基体、过渡层以及硅层所含的化学元素种类及其质量分数,通过对比分析认为:激光在键合层的致热温度和界面区的强电场导致硼硅玻璃耗尽层中的氧负离子向键合界面迁移扩散,并与硅发生氧化反应形成中间过渡层,而该界面过渡层的形成是实现玻璃/硅键合的基本条件.该种新型键合技术操作简单、速度快、灵活性高,可以针对不同键合材料实时调整激光功率、行走速度、扫描时间等参数,可广泛应用于MEMS封装器件中硅与玻璃的键合.
【作者单位】: 苏州大学机器人与微系统研究中心;
【基金】:国家重大科学仪器设备开发专项资金资助项目(2013YQ470767)
【分类号】:TH-39;TN249
【正文快照】: 键合技术[1]是MEMS加工中一种关键工艺,同时也是MEMS封装的重要工艺,对微结构起到了支撑和保护作用.在MEMS领域中,大多数产品的封装成本占该MEMS器件的总成本达50!~70![2].而据统计,一般集成电路(IC)的封装成本只有MEMS封装成本的30!左右[3].影响MEMS器件的封装质量和成品率的

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本文编号:1289002

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