975nm分布反馈激光器一级光栅的制备

发布时间：2017-12-19 03:30

  本文关键词：975nm分布反馈激光器一级光栅的制备

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【摘要】：优化设计了975nm分布反馈激光器的一级布拉格光栅结构。将纳米压印技术与干法刻蚀工艺相结合制备周期为148nm的光栅结构,通过优化调整刻蚀气体流量比、腔室压强和偏压功率等参数,得到了合适的光栅刻蚀工艺参数。扫描电子显微镜测试显示,光栅周期为148nm,占空比接近50%,深度合适,表面形貌、连续性和均匀性良好。将所制备光栅应用于975nm分布反馈激光器中,激光器输出性能良好,波长随温度漂移系数小,光栅对波长的锁定效果良好。
【作者单位】： 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;
【分类号】：TN248
【正文快照】： 0引言975nm大功率半导体激光器凭借其体积小、寿命长及可靠性高等优点被广泛用作固体激光器、光纤激光器和放大器[1-2]的泵浦源。然而被抽运的激光器吸收谱线宽都比较窄,所以需要具有窄线宽、波长稳定的泵浦源。为了实现激光器波长稳定、窄线宽输出,降低波长随温度和电流的漂

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本文编号：1306754