三种新型氮化锗材料的第一原理原子尺度研究

发布时间：2017-12-19 16:02

  本文关键词：三种新型氮化锗材料的第一原理原子尺度研究　出处：《信阳师范学院学报(自然科学版)》2017年01期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用第一原理框架下的平面波+赝势方法,对Ge_3N_4的三种新结构进行了计算.计算结果表明四方、单斜和正交结构的氮化锗满足力学和热力学稳定条件,都可以稳定存在.o-Ge_3N_4的抗剪切能力和硬度都是三者之中最高的.本文得到了三种相的声子谱,即介电函数、能量损失谱和光吸收谱;研究发现在可见光区域三相的吸收都很弱,主要呈现出紫外吸收特征.介电函数虚部的峰值是由N-2p轨道的电子向Ge-4s和4p轨道跃迁形成的.声子谱表现出N原子和Ge原子杂化的特征.此外,也成功地得到了静态介电常数和离子体频率.
【作者单位】： 信阳师范学院物理电子工程学院;信阳职业技术学院建筑工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61501392) 河南省教育厅科学技术研究重点项目(12A140010)
【分类号】：O472
【正文快照】： 0引言IV族元素的氮化物(Si3N4,Ge3N4,Sn3N4)通常都属于直接带隙半导体,而且具有优异的力学、物理和热力学性能,例如:硬度高、耐磨、耐腐蚀、带隙宽度可调、高温下性质稳定等[1,2].研究表明,此类材料适合作为光纤、发动机配件、光催化剂、发光二极管和覆膜材料,可应用于汽车工

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本文编号：1308544