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ZnO中氧空位缺陷形成能的第一性原理研究

发布时间:2017-12-20 08:27

  本文关键词:ZnO中氧空位缺陷形成能的第一性原理研究 出处:《厦门大学学报(自然科学版)》2017年04期  论文类型:期刊论文


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【摘要】:采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了ZnO在富氧和富锌条件下氧的单空位、双空位和三空位缺陷的形成能.结果表明:在富氧和富锌条件下,随着氧空位浓度的增加,氧空位形成能变大,说明ZnO中不容易产生多空位氧缺陷;随着氧空位浓度的增加,氧空位对应的吸收光谱红移;分散型氧双空位的形成能低于聚集型氧双空位,说明ZnO中不容易产生氧空位聚集,由此可解释ZnO的抗辐照能力;在富锌条件下,聚集型氧双空位的形成能大于分散型氧三空位的形成能,说明在此条件下聚集型氧双空位更难形成.
【作者单位】: 闽南师范大学物理与信息工程学院;厦门大学物理科学与技术学院;
【基金】:国家自然科学基金重点项目(21233004) 福建省教育厅A类科技项目(JA13206)
【分类号】:O471
【正文快照】: ZnO是直接带隙的半导体材料,在常温常压下,晶体结构为六角纤锌矿结构,禁带宽度为3.4eV,自由激子束缚能为60meV.ZnO在透明电极[1]、气敏传感器[2]、太阳能电池[3]、纳米发电机[4]等领域都有广泛的应用.与GaN材料相比,ZnO本身无毒,其高质量晶体比较容易获得,激子束缚能比较大,在

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本文编号:1311426

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