左手材料对谐振腔内部电磁场分布的影响

发布时间：2017-12-20 10:06

  本文关键词：左手材料对谐振腔内部电磁场分布的影响　出处：《功能材料》2017年10期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：在谐振腔的设计过程中,由于填充介质引起的损耗以及模式干扰导致谐振腔内部电磁场分布的优化受到限制,因而使得设计高品质因数的谐振腔变得困难。根据"左手材料"的特殊性质,运用电动力学理论对谐振腔内部电磁场分布进行计算研究,通过high frequency structure simulator(简称HFSS)仿真软件对谐振腔内的场分布进行模拟。计算结果显示,左手材料的填充可以改善谐振腔内部电磁场的分布。相对于传统材料而言,左手材料的填充可以使谐振腔内部中心部位的电磁场分布集中、电磁场强度增加,其中,电场强度可达到3.5009×10-1 V/m,比真空情况提高了13%,比填充空气时提高了4%;磁场强度可达到5.8722×10-3 A/m,比真空时提高了156%,比填充空气时提高了134%,高频仿真器的仿真数据与以上结果相吻合。该方法克服了传统材料对谐振腔内电磁场分布优化的局限性,为设计新型的谐振腔提供了一定的理论指导作用。
【作者单位】： 天津工业大学理学院;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61271011) 天津市自然科学基金资助项目(14JCYBJC17100)
【分类号】：O441
【正文快照】： 0引言从1968年,物理学家Veselago首次提出“左手材料”以来,“左手材料”的制作和应用一直受到科学家的重点关注.“左手材料”是相对于传统材料而言,与传统材料的性质相悖的另外一种材料,其磁导率μ和相对介电常数ε均为负值[1-2],具有负相速度、负折射率、理想成像等物理性质

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本文编号：1311684