GaAs光生载流子动力学机制的超快光谱学分析
发布时间:2017-12-20 19:34
本文关键词:GaAs光生载流子动力学机制的超快光谱学分析 出处:《光子学报》2017年08期 论文类型:期刊论文
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【摘要】:利用飞秒激光泵浦探测技术,通过改变光学参数,如中心波长、功率,分别对未故意掺杂高纯n型砷化镓的差分反射谱进行研究,进而分析室温下砷化镓光生载流子动力学过程.首先,当泵浦光功率恒为100mW,探测光功率恒为10mW时,随着中心波长的增大,差分反射率峰值随之增大,信噪比也随之增加.其次,通过拟合不同延迟时间下泵浦光功率和差分反射率的实验曲线,并和理论模型比较后发现,在一定范围内的泵浦功率和差分反射率呈线性相关,未故意掺杂高纯n型砷化镓的饱和载流子浓度为(3.590 1±0.310 3)×1017 cm~(-3).在此基础上,把光生载流子动力学过程分为3个过程:804±67fs的光激发过程、134~268fs的初始散射过程、1ps和3~6ps的复合过程.研究表明,差分反射率与探测功率不存在显著的依赖性,但差分反射谱的信噪比与探测功率存在相关性.
【作者单位】: 西北大学光子学与光子技术研究所/光电技术与功能材料国家重点实验室;
【基金】:国家自然科学基金(No.61378040)资助~~
【分类号】:O433.4
【正文快照】: 1-1002380Dynamics;Carrier lifetimeOCIS Codes:320.2250;320.7090;320.7150;140.7090;300.65300引言砷化镓(GaAs)是常见的Ⅲ-Ⅴ族化合物,与硅、锗等传统半导体相比,GaAs半导体的直接带隙特性和较高的光吸收系数,使其更容易吸收和发射光子,而且GaAs在不同条件下多变的光电学
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本文编号:1313178
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