硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件

发布时间：2017-12-21 03:41

  本文关键词：硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线及其若干半导体器件　出处：《半导体技术》2017年06期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：综述了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线与异质结制备技术的研究进展。针对基于Ⅲ-Ⅴ族纳米线的半导体器件,重点介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管的研究现状,详细介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线场效应晶体管和隧穿场效应晶体管的制备流程、工艺技术和器件的电学性能,并对影响器件电学性能的因素进行了分析。概括介绍了硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线激光器和硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池的研究成果,基于硅衬底的Ⅲ-Ⅴ族纳米线太阳电池为低成本、高效能的太阳电池领域开辟了新途径。研究结果表明,采用硅基Ⅲ-Ⅴ族纳米线制备的场效应晶体管、激光器及太阳电池等半导体器件相对于Si,Ge等传统半导体材料制备的器件有着巨大的优势,在未来集成电路技术中具有越来越大的影响力。
【作者单位】： 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室开放课题支持项目
【分类号】：TM914.4;TN248;TN386
【正文快照】： 0引言近几十年以来,集成电路技术与产品基本遵循摩尔定律不断深入发展,通过缩小器件特征尺寸以提高集成度,向着小型化、高速和高集成度方向飞速前进,目前已经进入了14 nm工艺时代。然而,伴随集成度的不断提高,单位面积上晶体管数量急剧增加导致了功耗的急剧增大以及器件性能的

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本文编号：1314582