缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响

发布时间：2017-12-22 07:21

  本文关键词：缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响　出处：《物理学报》2017年07期 　论文类型：期刊论文

  更多相关文章： ZnO缓冲层 ZnO/Mg_xZn_(-x)O量子阱二能级系统 电子子带间跃迁 三元混晶

【摘要】：由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schr?dinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/Mg_xZn_(1-x)O有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导.
【作者单位】： 内蒙古大学物理科学与技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61274098,11304142)资助的课题~~
【分类号】：O471.1
【正文快照】： 1引言近年来,应变纤锌矿半导体及其低维结构材料广泛应用于现代照明和太赫兹通信领域,成为制备新一代电子和光电子器件的重要材料.纤锌矿半导体材料Zn O和Mg O的禁带宽度分别为3.37[1]和7.8 eV[2],由于Zn离子和Mg离子的晶格常数非常接近[3],通常在Zn O材料中掺杂Mg制成三元混

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 蒙成举;苏安;高英俊;;实现高效光滤波与放大功能的掺激活杂质光量子阱[J];红外与激光工程;2013年12期

2 王晓光,常勇,桂永胜,褚君浩,曹昕,曾一平,孔梅影;赝形δ掺杂 AlGaAs/InGa As/GaAs量子阱的光致发光性质研究[J];红外与毫米波学报;2000年05期

3 陈涌海,叶小玲,王占国;量子阱平面光学各向异性的偏振差分反射谱研究[J];固体电子学研究与进展;2002年04期

4 胡振华,黄德修;非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究[J];物理学报;2005年04期

5 刘靖;孙军强;黄重庆;黄德修;;二维光量子阱共振隧穿光谱特性的改善[J];发光学报;2007年03期

6 苏安;高英俊;焦美娜;卢强华;;可实现奇数通道滤波功能的光量子阱透射谱[J];发光学报;2009年03期

7 孙道林;林静;;一维光量子阱滤波性能的研究[J];光电子技术;2009年02期

8 朱海娜;徐征;赵谡玲;张福俊;孔超;闫光;龚伟;;量子阱结构对有机电致发光器件效率的影响[J];物理学报;2010年11期

9 陈海波;胡素梅;高英俊;;一维矩形受限光量子阱光传输特性的研究[J];光学技术;2011年03期

10 费宏明;周飞;杨毅彪;梁九卿;;光子晶体双量子阱的共振隧穿[J];物理学报;2011年07期

中国重要会议论文全文数据库 前10条

1 万仁刚;张同意;;非对称量子阱中基于隧穿诱导增强交叉相位调制的锥辐射[A];第十五届全国量子光学学术报告会报告摘要集[C];2012年

2 苏雪梅;;GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱子带跃迁间Fano干涉效应及其色散性质[A];“加入WTO和科学技术与吉林经济发展——机遇·挑战·责任”吉林省第二届科学技术学术年会论文集（上）[C];2002年

3 宁永强;孙艳芳;李特;秦莉;晏长岭;王超;刘云;王立军;;周期增益量子阱大功率垂直腔面发射激光器[A];全国第十二次光纤通信暨第十三届集成光学学术会议论文集[C];2005年

4 廖辉;陈伟华;李丁;李睿;杨志坚;张国义;胡晓东;;三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构研究[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

5 李超荣;吕威;张泽;;InGaN/GaN量子阱结构的应变弛豫临界厚度、行为以及对物理性能的影响[A];第十三届全国电子显微学会议论文集[C];2004年

6 卜涛;李福利;;基于零平均折射率带隙的光量子阱结构的透射特性[A];第十三届全国量子光学学术报告会论文摘要集[C];2008年

7 朱岩;倪海桥;王海莉;贺继方;李密峰;尚向军;牛智川;;GaAs基异变量子阱[A];中国光学学会2010年光学大会论文集[C];2010年

8 李俊泽;陶岳彬;陈志忠;姜显哲;付星星;王溯源;吴洁君;于彤军;张国义;;低铟夹层对量子阱发光的影响研究[A];第十二届全国MOCVD学术会议论文集[C];2012年

9 闫东鹏;陆军;卫敏;段雪;;基于插层组装材料的多重量子阱结构理论设计与分子模拟[A];中国化学会第27届学术年会第14分会场摘要集[C];2010年

10 哈斯花;班士良;;应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年

中国博士学位论文全文数据库 前10条

1 李倩;量子阱红外探测器的等离激元微腔光耦合研究[D];中国科学院研究生院(上海技术物理研究所);2015年

2 李毅;Ⅲ族氮化物量子阱发光特性的研究[D];南京大学;2013年

3 谢耀平;金属量子阱系统和金纳米结构催化效应的第一性原理研究[D];复旦大学;2009年

4 朱俊;应变纤锌矿量子阱中的电子态[D];内蒙古大学;2012年

5 屈媛;纤锌矿氮化物量子阱中电子迁移率及应变和压力调制[D];内蒙古大学;2010年

6 徐枝新;耦合量子阱能级特性与结构优化的研究[D];浙江大学;2006年

7 王明华;富硅氮化硅和纳米硅多层量子阱硅基发光薄膜与器件[D];浙江大学;2009年

8 吴小明;含V形坑的Si衬底GaN基蓝光LED发光性能研究[D];南昌大学;2014年

9 路慧敏;Ⅲ族氮化物量子阱光电子学特性和应用的研究[D];北京交通大学;2011年

10 郝明瑞;量子阱红外探测器优化与性能极限研究[D];上海交通大学;2014年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 蔡镇准;基于耦合量子阱的GaN基垂直结构LED器件研究[D];华南理工大学;2015年

2 李志强;纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中阱宽和组分对极化子效应的影响[D];内蒙古师范大学;2015年

3 贾慧民;InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱结构及光谱分析[D];长春理工大学;2014年

4 马双庆;GaN基紫外LED多量子阱结构优化研究[D];西安电子科技大学;2014年

5 丁娟;GaN基紫外LED的光致发光谱分析[D];西安电子科技大学;2014年

6 史辰恬;InGaN量子阱中的载流子横向迁移效应[D];南京大学;2016年

7 詹小红;InGaAs量子阱半导体薄片激光器芯片处理及光谱特性[D];重庆师范大学;2016年

8 王蕊;非对称耦合双量子阱GaAs/Al_xGa_(1-x)As中的激子态[D];内蒙古大学;2016年

9 白丹;氮化镓量子阱波导及波导集成器件的研究[D];南京邮电大学;2016年

10 陈蛟龙;GaN基长波紫外LED多量子阱结构调整对光效的影响[D];西安电子科技大学;2015年

，

本文编号：1318918