SOI器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究

发布时间：2017-12-26 16:37

本文关键词：SOI器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究　出处：《原子能科学技术》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性,对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验,获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线,并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比,获得了本文实验条件下的辐射剂量率-激光能量模拟等效关系。结果表明,激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。
[Abstract]:In order to verify the feasibility of using laser simulation technology to study the instantaneous dose rate effect of semiconductor SOI devices, the advantages and main principles of laser simulation are analyzed. The experiment of laser radiation is carried out by using the single tube test chip of 0.13 m SOI MOS. The relationship between the instantaneous current excited by different radiation and the incident energy of laser is obtained, and the expression of photocurrent after linear fitting is calculated. By comparing the laser experimental data with the simulation results of the device TCAD, the equivalent relationship between the radiation dose rate and the laser energy simulation under the experimental conditions is obtained. The results show that the laser simulation technology can be used to study the instantaneous dose rate effect of semiconductor SOI devices.
【作者单位】：中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心;中国工程物理研究院电子工程研究所;
【基金】：中国工程物理研究院院长基金资助项目(2014-1-100)
【分类号】：TN24;TN303
【正文快照】： SOI工艺是在传统体硅衬底中引入SiO2埋氧层以实现器件全介质隔离的工艺。SOI器件由于可消除体硅CMOS电路的寄生闩锁效应,并具有较强的抗单粒子和瞬时辐射能力而备受关注[1]。SOI器件的瞬时剂量率效应是指暴露于脉冲γ射线辐射的半导体SOI器件所表现出的电离辐射损伤[2],其机理

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