钼掺杂氧化锌薄膜的制备及其性能研究

发布时间：2017-12-27 19:17

  本文关键词：钼掺杂氧化锌薄膜的制备及其性能研究　出处：《中南民族大学学报(自然科学版)》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：采用掺氧化钼(MoO_3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶作为溅射源材料,利用磁控溅射工艺制备了钼掺杂氧化锌(MZO)透明导电氧化物(TCO)薄膜,通过X-射线衍射仪(XRD)、光分光光度计和四探针仪进行了测试表征,研究了溅射功率对MZO薄膜结构、光学和电学性能的影响.结果表明:所沉积的MZO薄膜样品均为六角纤锌矿结构,并具有(002)择优取向生长特性,溅射功率对薄膜结构和光电性能具有不同程度的影响.当溅射功率为120 W时,MZO薄膜的可见光区平均透过率最高、电阻率最低、性能指数最大,具有最好的光电综合性能.
[Abstract]:The doped molybdenum oxide (MoO_3) Zinc Oxide (ZnO) ceramic target as sputtering source material, Molybdenum Doped Zinc Oxide prepared by magnetron sputtering process (MZO) transparent conductive oxide (TCO) films by X- ray diffraction (XRD), spectrophotometer and four probe into the characterization, study on the influence of sputtering power on the structure of MZO thin films, optical and electrical properties. The results show that MZO thin films deposited by all six corners of wurtzite structure with (002) preferred orientation growth characteristics, the sputtering power has different influence on the film structure and photoelectric properties. When the sputtering power is 120 W when MZO thin films in visible region the highest average transmittance, low resistivity, the performance index is the largest, with a best overall performance.
【作者单位】： 中南民族大学实验教学与实验室管理中心;中南民族大学电子信息工程学院;
【基金】：湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418) 中南民族大学中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZP17002)
【分类号】：O484
【正文快照】： 透明导电氧化物(TCO)薄膜具有独特的光学和电学性能,已经广泛应用于发光二极管[1-4]、太阳能电池[5-8]、液晶显示器[9-12]、薄膜晶体管[13,14]和气体传感器[15-17]等光电子领域中,引起了人们越来越多的关注.氧化锌(Zn O)是Ⅱ-VI族n型半导体材料,在室温条件下光学能隙较宽,对可，

本文编号：1342853