三维Al掺ZnO薄膜的低温电子散射机制

发布时间：2017-12-29 08:00

  本文关键词：三维Al掺ZnO薄膜的低温电子散射机制　出处：《低温物理学报》2017年03期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：本文系统研究了厚度约1μm的Al掺ZnO(AZO)薄膜的低温电子散射机制.研究发现,薄膜在较高温区的电阻温度系数为正值,且载流子浓度在2~300K范围内不随温度而改变,表明薄膜具有简并半导体的电输运性质.通过测量薄膜在4~35K范围不同温度下的磁电阻,获得了低温下退相干散射率与温度的关系.与现有非弹性散射理论比较发现,仅由电子-声子散射并不能解释AZO薄膜低温下非弹性散射率与温度的依赖关系,除电子-声子散射外,必须同时考虑小能量转移电子-电子散射的贡献,这与薄膜较低的载流子浓度相关(我们的薄膜载流子浓度低于8×1020 cm~(-3)).我们的结果一方面表明电子-声子散射和电子-电子散射可以在三维无序导体中并存,另一方面从实验上定量地验证了关于电子-声子散射率与小能量转移电子-电子散射率的理论.
[Abstract]:......
【作者单位】： 天津大学理学院物理系天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(批准号:11174216) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20120032110065)资助的课题~~
【分类号】：O484;TN304.21
【正文快照】： 1引　　言在无序导体中,电子退相干机制是一个非常重要且有趣的问题.一般来讲,电子退相干机制与体系的维度、无序度及测量温度有关[1-3].在三维弱无序金属中,电子-声子散射通常是主要的退相干机制[3-5].在自由电子近似下,电子-声子散射率与载流子浓度的关系满足1/τep∝n[6],

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