硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计

发布时间：2017-12-30 06:21

本文关键词：硅基片上刻蚀衍射光栅及其平坦化设计　出处：《激光技术》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：刻蚀衍射光栅(EDG)作为实现波分复用功能的关键器件,对于片上光互连的实现至关重要。为了实现1310nm波段通道间隔为20nm的硅基EDG,采用了基尔霍夫标量衍射理论仿真方法进行理论设计和仿真验证,通过在闪耀光栅反射面引入布喇格反射光栅来提高反射效率、降低器件插入损耗,并在入射波导处引入多模干涉耦合器以实现通道频谱平坦化设计。结果表明,闪耀光栅反射面的反射效率由35%提高到了85%,1d B带宽达到12nm。这对于提高系统稳定性、增大传输距离和容量、降低系统成本具有显著作用,能够满足光互连系统的实际应用需求。
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【作者单位】：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;中国科学院大学;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61275112;61475180;11204340) 上海市自然科学基金重点资助项目(14JC1407600);上海市自然科学基金资助项目(16ZR1442600)
【分类号】：TN256
【正文快照】： 100049)引言随着多核计算时代的来临,人们对信息处理、传输速度的要求不断提高,电互连技术由于串扰、延迟和功耗等缺陷成为系统发展的瓶颈。采用光互连取代电互连可以有效解决这一难题[1]。在光互连的具体实施方案中,硅基光互连以其无可比拟的成本和技术优势成为首选,既能发挥

【参考文献】