基于硅纳米孔柱阵列氮化镓纳米结构的光致发光特性

发布时间：2018-01-01 11:34

  本文关键词：基于硅纳米孔柱阵列氮化镓纳米结构的光致发光特性　出处：《郑州大学学报(理学版)》2017年02期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底,采用化学气相沉积技术在不同条件下制备了GaN/Si-NPA,并对其表面形貌和结构进行了表征.结果表明,随着制备温度和氨气流量的升高,GaN/Si-NPA中GaN纳米结构的形貌发生显著变化,特征尺寸逐渐变大.对样品光致发光谱的测试结果表明,不同温度制备的GaN/Si-NPA均具有紫外光、黄光和红光3个发光带,但发光带的强度、峰位和半高宽随制备温度发生变化.对GaN/Si-NPA的光致发光过程与发光机制进行了分析,通过改变制备条件可以对其光致发光特性实现有效调控.
[Abstract]:The morphology and structure of GaN / Si - NPA in GaN / Si - NPA have been characterized by using Si - NPA as substrate . The results show that the GaN / Si - NPA in GaN / Si - NPA has obvious change in morphology and structure .

【作者单位】： 郑州大学物理工程学院;
【基金】：国家自然科学基金项目(61176044)
【分类号】：O482.31;TN304
【正文快照】： 0引言氮化镓(Ga N)是直接带隙的Ⅲ-V族化合物半导体,其在室温下的带隙宽度约为3.4 e V.晶体Ga N具有介电常数小、击穿场强高和热导率大等优异的物理性能,以及较强的耐高温、耐腐蚀和抗辐射能力.同时,Ga N具有良好的机械和化学稳定性,高温下可以异质生长在蓝宝石、碳化硅、单晶

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本文编号：1364376