As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响

发布时间：2018-01-03 03:41

本文关键词：As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响　出处：《西南大学学报(自然科学版)》2017年03期 　论文类型：期刊论文

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【摘要】：利用固源分子束外延(MBE)设备生长出InAs/InAlAs/InP(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响.结果表明,As压调制的InAlAs超晶格能有效地调整InAs纳米结构的形貌特性、发光峰位,改善发光线宽,提高辐射效率,从而有利于其在长波长光电器件方面的应用.
[Abstract]:InAs- / InAlAs-InPn001) nanostructured materials were grown by solid source molecular beam epitaxy (MBE) equipment. The effects of as modulated InAlAs superlattices on the optical properties of InAs nanostructures were investigated. As modulated InAlAs superlattice can effectively adjust the morphology of InAs nanostructures, luminescence peak position, improve the luminescence linewidth, improve the radiation efficiency. It is beneficial to its application in long wavelength optoelectronic devices.
【作者单位】：邯郸学院机电学院;中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室;西南大学物理科学与技术学院;
【基金】：国家自然科学基金(60990315) 国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604904) 河北省科学技术研究与发展指导项目(Z2010112) 河北省科技支撑计划项目(10213936;10213938) 邯郸学院博士科研启动经费项目(2009002)
【分类号】：O47
【正文快照】： 1.3~1.55μm波段对应着石英玻璃光纤的低色散低损耗窗口,这一波段的激光器和探测器是光纤通讯系统最核心的光电子器件.而目前光纤通讯中使用的1.55μm光电子器件仍主要为InGaAsP/InP量子阱激光器,由于InGaAsP/InP的导带带阶小,使其器件温度特性较差,为改善其温度特性所需的工

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