电子轰击下MgO薄膜的二次电子效应的衰减机理
本文关键词： MgO薄膜 二次电子发射 介质薄膜 衰减机理 出处：《西安交通大学学报》2017年11期 论文类型：期刊论文
【摘要】：以MgO薄膜、MgO/Au复合薄膜作为二次电子发射材料的研究对象,利用持续电子束轰击薄膜的方式,研究了二次电子效应与时间的变化规律。通过测试样品时间的指数衰减,电导率和介电常数对衰减速率的影响,建立模型假设来研究二次电子发射的机理,提出了潜在电子的概念及平板电容模型;以此模型为基础进行分析推导,建立了二次电子发射过程理论模型,得出了诱导电流和二次电子发射系数实验值的表达式,与实际样品测试结果的趋势一致,二次电子发射材料性能的衰减速率与薄膜电导率正相关,验证了所提理论模型能很好地解释介质薄膜二次电子发射的衰减机理,有助于提高二次电子发射材料的衰减性能,为改进工艺和研发新型介质薄膜材料提供了一定的理论指导。
[Abstract]:The MgO thin film / MgO / au composite film was used as the secondary electron emission material, and the method of continuous electron beam bombardment was used. The variation of secondary electron effect and time was studied. The mechanism of secondary electron emission was studied by testing the exponential decay of sample time, the influence of conductivity and dielectric constant on attenuation rate. The concept of potential electron and the model of plate capacitance are proposed. Based on this model, the theoretical model of the secondary electron emission process is established, and the expressions of the induced current and the secondary electron emission coefficient are obtained, which are consistent with the experimental results of the actual samples. The attenuation rate of the secondary electron emission material is positively correlated with the conductivity of the film, which verifies that the proposed theoretical model can explain the attenuation mechanism of the secondary electron emission of the dielectric thin film. It is helpful to improve the attenuation performance of the secondary electron emission materials and provide some theoretical guidance for the improvement of the technology and the development of new dielectric thin film materials.
【作者单位】： 西安交通大学物理电子物理与器件教育部重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61771383)
【分类号】：O484
【正文快照】： 电子倍增器是一种用来放大入射电子数的真空电子器件,广泛应用于各类精密仪器中。实验发现,在电子束轰击介质薄膜的过程中,二次电子发射特性会随着时间逐渐衰减,从而降低器件的使用寿命[1-3]。为了提高电子倍增器的性能,需要开发新制备工艺或研发新型的薄膜材料,MgO薄膜具有二
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，本文编号：1473179
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