850nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备

发布时间：2018-03-29 12:45

  本文选题：激光器　切入点：垂直腔面发射激光器　出处：《中国激光》2017年03期

【摘要】：根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延生长并制备了850nm顶发射VCSEL。测试结果表明,阱宽为5nm的In_(0.075)Ga_(0.925)As/Al_(0.35)Ga_(0.65)As QW,在室温下激射波长在840nm左右,设计的顶发射VCSEL结构通过Ocean Optics Spectra Suite软件验证,得到室温下的光谱中心波长在850nm附近,证实了结构设计的正确性。
[Abstract]:According to the working principle of distributed Bragg reflector (DBR), the QW and DBR structures are optimized. The reflection spectrum and QW gain spectrum of Vertical cavity Surface emitting Semiconductor Laser (VCSELL) are simulated by Crosslight computer simulation software, and the QW components are determined. The thickness and logarithm of DBR were grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique and 850nm top emission VCSELs were prepared. The results show that the In_(0.075)Ga_(0.925)As/Al_(0.35)Ga_(0.65)As QW with well width of 5nm is at about 840nm at room temperature. The designed top-emitting VCSEL structure is verified by Ocean Optics Spectra Suite software, and the spectral center wavelength at room temperature is near 850nm, which proves the correctness of the structure design.
【作者单位】： 长春理工大学高功率半导体激光国防科技国家重点实验室;
【基金】：国家自然科学基金(11474038,61376045) 长春理工大学基金(XJJLG-2015-10)
【分类号】：TN248.4

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本文编号：1681203