基于在线监测平台抛磨光纤传输特性的研究

发布时间：2021-09-04 19:29

　　搭建在线监测平台对康宁SMF-28单模光纤进行在线监测,得到了光损耗与抛磨深度的关系。在抛磨区长度为10mm时,结果发现,随着抛磨深度的加大,光纤的光功率损耗值逐渐加大,并且损耗值随抛磨深度的变化是非线性的。在抛磨深度为55μm,即抛磨至接近纤芯位置时,光纤的光功率损耗值达到最大-27dB。通过对抛磨深度与光损耗关系的研究,说明该系统可以实时测量光纤抛磨时损耗大小,为抛磨光纤传感器的制作提供了理论和实验基础。 

【文章来源】：山西电子技术. 2020,(03)

【文章页数】：4 页

【部分图文】：

抛磨系统连接图

光纤抛磨前后对比

当包层抛磨掉52μm,剩余包层厚度为5μm,此时光泄漏量开始增加,并随着包层剩余厚度的减小。从图上可看到,剩余厚度从72.763 μm开始,每近似抛磨1 μm,抛磨损耗功率不断变大,并且每两次抛磨前后损耗功率的差值也在不断变大。抛磨光纤剩余厚度为67.887 μm时,开始出现不同波长的光透射功率不同的现象,抛磨光纤剩余厚度为66.631 μm时,此现象尤为明显,波长为1325 nm和1537 nm的光泄漏量尤其大,说明剩余包层厚度变小时,此波长的光容易泄漏出去。抛磨光纤剩余厚度为65.509 μm时,出现1310～1345 nm波段光泄漏量变大的现象,由此推测,对于此光纤包层变小时,此波段的光更容易泄漏。继续抛磨0.6 μm后,发现1275～1400 nm波段的光功率相比前次有增加,1400～1600 nm依然继续降低。图6 不同剩余厚度透射光谱

【参考文献】：
期刊论文
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[3]侧边抛磨SMS光纤传感器[J]. 唐洁媛,陈哲,罗云瀚,余健辉,张军.  光子学报. 2013(10)
[4]侧边抛磨光纤波导传输特性的理论分析[J]. 陈哲,崔菲,曾应新.  光子学报. 2008(05)

硕士论文
[1]光纤侧面抛磨关键技术研究[D]. 张亚勋.哈尔滨工程大学 2012
[2]侧边抛磨光纤器件的仿真分析[D]. 曾应新.暨南大学 2006
[3]新型D型少模光纤Bragg光栅的特性及其在折射率测量中的应用[D]. 李杰.厦门大学 2006



本文编号：3383872