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HnXO(X=As,P;n=1,2)的光谱常数和非谐力场的从头算研究

发布时间:2021-09-08 07:28
  原子与分子物理是物理学中的二级学科之一。而从头计算方法被广泛应用于原子与分子物理领域,是获得体系结构和动力学信息的重要手段。通过非谐振力场的从头算研究,可以确定分子的各种光谱常数。分子光谱的研究可以揭示分子内部结构、运动规律以及物化特性,能够得到分子的转动能级、振动能级及电子能级的精确信息,从而能精确的定出核间距、振动频率、力常数、离解能及其他有关分子结构的数据。由于半导体工业的化学气相沉积和有机金属化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体HnXO(X=As,P;n=1,2)对半导体材料的电子特性等方面的应用,引起了人们广泛关注。本文研究HnXO(X=As,P;n=1,2)四个分子的光谱常数和非谐力场。HnXO(X=As,P;n=1,2)这四个分子是半导体工业的化学气相沉积和有机金属化学气相沉积反应过程中产生的活性中间体。其中,HAsO和H2ASO分子,可以用来修饰半导体材料的电子特性(改良半导体的性能)。作为一种常见的第三周期原子,原子P在行星体或其大气中起着重要作用。HPO分子也很重要,因为HPO分子可能是寻找的含磷星际介质,而H2PO虽然... 

【文章来源】:鲁东大学山东省

【文章页数】:82 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

HnXO(X=As,P;n=1,2)的光谱常数和非谐力场的从头算研究


HAsO分子在B3LYP/cc-pV5Z理论水平下优化的结构

几何结构图,几何结构,键角,键长


图 4.1 B3PW91/aug-cc-pV5Z 优化的 H2AsO 分子的几何结构列出了 H2XO (X= As,P,N)分子的基态结构。H2AsO 和 H2NO 的键角的理论值分别为 101.8°,102.56°和 121°[50,,其中心原子 X 周围有四个基团:一个双键 XO,两个单对电子。根据价电子壳层电子对排斥 (VSEPR) 理论,来子需要最大的角度空间,因此 H2XO 分子的键角应小于 1数的增加,HX 和 XO 键的电子不断移到中心原子 X,中心弱。同时,HX 和 XO 的键变得越来越难挤压。HXO 的键、XO 键的键长明显增加。因此,H2AsO 分子的共价键是表 4.2 H2XO (X =As, P, N) 的平衡几何结构(键长的单位: ,键角的单位:H2AsO H2PO 1.667 1.672 1.669 1.4875 1.487 1.497 1.498 1.513 1.526 1.4287 1.407 1.421 1.278 106.7 106.6 107.665 115.52 114.6 114.0

几何结构图,几何结构,平衡几何结构,偶极矩


图 5.1 B3LYP/cc-pV5Z 优化的 HPO 分子的几何结构表 5.1 HPO 分子的平衡几何结构、偶极矩和总能量RP-H( ) RP-O( ) ΦHPO(deg) μ (Debye) B3LYP/ QZ 1.4670 1.4842 104.377 2.3342 B3LYP/ 5Z 1.4651 1.4803 104.4728 2.3586 B3P86/ QZ 1.4658 1.4802 104.2437 2.2970 B3P86/ 5Z 1.4641 1.4761 104.358 2.3095 B3PW91/ QZ 1.4683 1.4818 104.2705 2.2770 B3PW91/ 5Z 1.4651 1.4803 104.4728 2.3586 MP2/ QZ 1.4500 1.4965 104.3163 2.2534 MP2/ 5Z 1.4651 1.4803 104.4728 2.3586 S/MRCI/VQZa1.4537 1.4918 104.36I/ACVQZ (frozen core)a1.4535 1.4907 104.38/MRCI/ACVQZa1.4424 1.4898 104.44S/MRCI/AV5Za1.4534 1.4893 104.38CSD(T)/AVQZa1.4548 1.4873 104.33/ ACVQZ (frozen core)a1.4544 1.4861 104.37SD(T)/ACVQZa1.4521 1.4829 104.34


本文编号:3390385

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