RbY 2 Cl 7 :Ce晶体的生长和闪烁性能研究
发布时间:2021-10-11 17:51
采用坩埚下降法,在真空密封的石英坩埚中成功生长出复合稀土卤化物RbY2Cl7∶Ce单晶。此晶体属于正交晶系,晶胞参数为:a=1.274 69 nm,b=0.693 02 nm,c=1.266 55 nm。熔点为617℃。表征了该晶体的X射线光致激发-发光光谱、激发发射光谱、γ射线多道能谱及激发衰减曲线等闪烁性能。RbY2Cl7∶Ce的激发-发射光谱显示发射峰在389 nm左右,激发峰在336 nm左右。在137Cs源的γ射线激发下能量分辨率约为9.8%,闪烁衰减时间约为35 ns。
【文章来源】:人工晶体学报. 2020,49(05)北大核心
【文章页数】:5 页
【部分图文】:
RbY2Cl7∶Ce晶体的DTA/TG曲线
RbY2Cl7∶Ce晶体的光致发光光谱
图5 RbY2Cl7∶Ce晶体的光致发光光谱RbY2Cl7∶Ce晶体的X射线激发发射光谱如图7所示。室温下的最大发射峰波长为389 nm。从275 nm到325 nm出现的微弱发射峰是由CVL引起的,而CVL是由3p Cl到5p Rb的电子跃迁引起的[18-19]。从350 nm到450 nm的宽发射带是由Ce3+从t2g到4f的电子跃迁引起的。与紫外灯激发下的光致发光发射波长几乎相一致,可以很好地与光电倍增管相匹配。
【参考文献】:
期刊论文
[1]ACl-YCl3(A:Li,Na,K,Rb,Cs)二元相图的热力学分析[J]. 乔芝郁,庄卫东,苏勉曾. 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学). 1992(02)
本文编号:3430986
【文章来源】:人工晶体学报. 2020,49(05)北大核心
【文章页数】:5 页
【部分图文】:
RbY2Cl7∶Ce晶体的DTA/TG曲线
RbY2Cl7∶Ce晶体的光致发光光谱
图5 RbY2Cl7∶Ce晶体的光致发光光谱RbY2Cl7∶Ce晶体的X射线激发发射光谱如图7所示。室温下的最大发射峰波长为389 nm。从275 nm到325 nm出现的微弱发射峰是由CVL引起的,而CVL是由3p Cl到5p Rb的电子跃迁引起的[18-19]。从350 nm到450 nm的宽发射带是由Ce3+从t2g到4f的电子跃迁引起的。与紫外灯激发下的光致发光发射波长几乎相一致,可以很好地与光电倍增管相匹配。
【参考文献】:
期刊论文
[1]ACl-YCl3(A:Li,Na,K,Rb,Cs)二元相图的热力学分析[J]. 乔芝郁,庄卫东,苏勉曾. 中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学). 1992(02)
本文编号:3430986
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