高功率980nm半导体激光器有源区制备中的Ⅴ/Ⅲ比优化

发布时间：2021-11-25 21:47

　　高质量的MOCVD外延材料是研制高性能半导体光电器件的基础。通过制作简单的量子阱结构,利用光荧光系统进行快速表征,得到Ⅴ/Ⅲ比不但会影响PL的强度,还会影响片内均匀性的结论。根据标准偏差统计法,确定了InGaAs量子阱外延的最佳Ⅴ/Ⅲ比为35。基于优化的外延参数,制备了波长为980nm的半导体激光器,在15A脉冲电流下,腔面未镀膜时器件的平均输出功率为9.6W,中心波长为977.2nm。研究结果为半导体激光器的研制提供了一种快速有效的方法。 

【文章来源】：半导体光电. 2017,38(05)北大核心

【文章页数】：4 页

【文章目录】：
0 引言
1 表征结构及外延
2 PL表征结果
3 器件结果
4 结论


【参考文献】：
期刊论文
[1]980nm大功率半导体激光器的MOCVD外延生长条件优化[J]. 李岩,李建军,邓军,韩军.  半导体光电. 2016(04)
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[4]应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用[J]. 俞波,盖红星,韩军,邓军,邢艳辉,李建军,廉鹏,邹德恕,沈光地.  量子电子学报. 2005(01)



本文编号：3518855