多重掺杂铌酸锂晶体的电子结构和光学性质研究

发布时间：2021-12-02 15:11

　　铌酸锂晶体因其精良的光、电性质,被广泛应用于集成光学、光通讯等众多领域,是制造微波技术、全息记录介质、相位调解器和红外探测器等器件的重要材料。随着信息时代的发展以及通讯技术的革新,相关行业对信息材料有更高的需求,纯铌酸锂晶体及其掺杂铌酸锂晶体的性能研究,成为全息存储材料领域的热点。对比纯铌酸锂晶体,某些掺杂改善了铌酸锂晶体的光折变和抗光损伤性能,并在掺杂晶体中实现了非挥发性存储,使得存储的信息非易失、存储质量更为理想。目前发现,将铌酸锂晶体用作存储介质研究大都是实验研究,以电子结构和光学性质理论计算为基础的机理研究还较为欠缺,特别是双掺或三掺铌酸锂晶体的非挥发性存储仿真研究。本文利用基于密度泛函的第一性原理的计算方法,研究了纯铌酸锂单晶体和多组掺杂铌酸锂晶体的电子结构和吸收光谱,结果表明,选择适当的光折变离子单掺或共掺可实现铌酸锂晶体非挥发性全息存储:光折变离子Co²⁺掺杂铌酸锂体系的带隙较纯铌酸锂晶体变窄,禁带宽度为3.32eV,带隙中出现两个杂质能级,杂质能级来源于Co的3d轨道自旋分裂的e_g、t_2g轨道;Co

【文章来源】：西南大学重庆市 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：51 页

【学位级别】：硕士

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带输运模型

论文 体的优势让铌酸锂晶体在体全息存储、光放大等领域应用有着于铌酸锂晶体为光折变效应研究提供了很好的平台，而与众晶体自身光折变效应又增添了铌酸锂晶体丰富多姿的性质，掺杂铌酸锂晶体已被应用于更多领域，如光计算和位相共轭体全息存储、相关识别、光互联、窄带滤波器和缺陷检测等体的基本结构外在表现为无色或略带黄绿色的透明晶体，内部结构是类似它是当今已知居里点最高(1210 C)、自发极化(0.70 C/m2)趋晶体的熔点为 1240±5 C，密度为 4.70×103kg/m3，莫氏硬度晶系，其顺电相和铁电相的空间群分别为_R 3C 和 R3C ，结构

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本文编号：3528694