低温下GaSb基量子阱激光器的光电特性研究

发布时间：2021-12-30 01:38

　　研究了GaSb基量子阱激光器在低温下的光电特性和功耗。实验结果表明8μm条宽激光器阈值电流I_th=12 mA,此时电压为3.46 V,功耗为41.52 mW;10μm条宽激光器阈值电流I_th=6 mA,此时电压为2.60 V,功耗为15.60 mW。在15 K下的光谱随着注入电流的增加发生红移,在8～10 mA内的光谱漂移为0.39 nm/mA,在10～20 mA内为0.02 nm/mA。在15～65 K范围内光谱随着注入温度的增加发生红移,光谱红移速度为0.316 nm/K。研究结果对GaSb基量子阱激光器的进一步应用具有重要意义。 

【文章来源】：通信技术. 2020,53(06)

【文章页数】：5 页

【部分图文】：

GaSb基量子阱激光器材料结构

不同脊条宽度的微分电阻和I-V曲线

激光器的I-V随温度变化


本文编号：3557225