垂直线不良分析与改善

发布时间：2018-08-02 19:06

【摘要】：针对栅极绝缘层和栅极引线接触处形成过孔倒角造成的一种垂直线不良进行分析和改善。研究气相沉积、干法刻蚀和磁控溅射对过孔倒角的影响,通过扫描电子显微镜对过孔形貌进行表征,并用成盒检测设备检测不良发生情况。实验结果表明:通过过孔刻蚀功率、气压、气体流量的变更可以消除倒角现象,垂直线不良由1.4%降为0.7%。
[Abstract]:This paper analyzes and improves a kind of perpendicular defect caused by the contact between the grid insulation layer and the gate lead. The effects of vapor deposition, dry etching and magnetron sputtering on the chamfering of the pore were studied. The morphology of the pore was characterized by scanning electron microscope (SEM). The experimental results show that the chamfering phenomenon can be eliminated by changing the power, pressure and flow rate of gas through the hole etch, and the bad vertical line is reduced from 1.4% to 0.7%.
【作者单位】： 北京京东方显示技术有限公司;
【分类号】：TN873.93

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本文编号：2160436