MOS电阻阵下红外诱饵模拟仿真

发布时间：2018-09-08 12:25

【摘要】：为了能达到验证红外制导导弹对抗红外诱饵性能的目的,需要在半实物仿真过程中逼真地模拟红外诱饵在实际红外对抗场景中的能量变化和运动形式,即红外诱饵被投放后辐射变化以及其与目标的分离形式,为此利用MOS电阻阵进行红外诱饵模拟仿真研究。现有国产MOS电阻阵不小于200 Hz的刷新频率,不小于300℃的等效黑体温度能很好地复现红外诱饵燃烧时剧烈的能量变化,同时通过红外诱饵建模理论建立基础仿真运动模型,并且基于外场采集数据对所建立的红外诱饵运动模型进行修正,主要是对红外诱饵运动轨迹进行修正。最后,采用MOS电阻阵动态红外场景渲染和驱动软件完成红外诱饵的模拟。
[Abstract]:In order to verify the performance of infrared guided missile against infrared decoy, it is necessary to simulate the energy change and movement form of infrared decoy in the actual infrared countermeasure scene in the process of Hardware-in-the-loop simulation, that is, the radiation change of infrared decoy and the separation form of infrared decoy from the target after it is put into operation. The simulation of infrared decoy is studied.The refresh frequency of MOS resistor array is not less than 200 Hz and the equivalent blackbody temperature is not less than 300 ~C. The external decoy motion model is modified mainly by modifying the infrared decoy trajectory. Finally, the infrared decoy is simulated by MOS resistor array dynamic infrared scene rendering and driving software.
【作者单位】： 上海航天控制技术研究所;上海机电工程研究所;上海航天技术研究院;
【基金】：国家安全重大基础研究项目(613271010204)
【分类号】：TN976

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本文编号：2230513