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基于介质谐振器的ESPAR阵列天线的研究及设计

发布时间:2020-12-09 23:08
  相控阵天线的波束控制能力传统上由移相器提供。然而,移相器占据相控阵系统相当大的成本且移相器在X波段及以上有相当大的损耗。使用变容二极管或pin二极管代替移相器的电控无源阵列天线(ESPAR)能降低系统功耗和成本,对商业化应用有很大的前景。本文研究包含三个方面:第一,研究了不同的缝隙形状对天线性能的影响,提出了一种工作在3GHz的“hourglass”形缝隙耦合微带ESPAR阵列天线,通过改变加载在寄生贴片上的电抗值实现不同的波束转向,HFSS仿真实验表明,该阵列能在维持阻抗匹配的情况下,实现-37°~370连续波束转向,最大辐射增益能达到9.14dBi。第二,提出了一种激励TE113高阶模的电控无源阵列天线(ESPAR),该阵列由一个馈电穿孔介质谐振器(PDR)和两个寄生穿孔介质谐振器组成,通过缝隙耦合馈电。采用穿孔技术降低介质谐振器的相对介电常数从而提高天线带宽,改变加载在寄生介质谐振器上的电抗值实现主瓣方向图的转向。该ESPAR阵列天线-lOdBi相对带宽约为 18.3%(10.09GHz~12.11GHz),在 11GHz能实现-32°~32°波束转向,且在波束转向过程中维持阻抗... 

【文章来源】:云南大学云南省 211工程院校

【文章页数】:66 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

基于介质谐振器的ESPAR阵列天线的研究及设计


图1.1单极子和偶极子ESAPR??ESPAR阵列天线的阻抗带宽是一个主要问题,为了提高阻抗带宽,文献[8?10]??

双曲线,阵列天线,介质谐振器,贴片


ESAPR(13]?ESPAR[14]??图1.1单极子和偶极子ESAPR??ESPAR阵列天线的阻抗带宽是一个主要问题,为了提高阻抗带宽,文献[8?10]??报道了利用不同的拓扑结构来实现带宽的拓宽,如采用Koch分形结构[8],双曲线??交叉偶极子[9]和增加耦合多导体条带[10]。考虑到寄生单元之间的相互耦合效应对??系统效率的影响,文献[11]使用超材料减少寄生单元间的耦合作用。但上述的不同??结构的ESAPR天线增益仍然较低,为了提高增益并且提高阻抗带宽,文献[12]使??用单极子天线结合十二个寄生单极子通过阻抗匹配网络馈电,阻抗带宽为32.0%,??增益大约为9.0dBi。??由于单极子和偶极子的剖面都太高,在移动终端上很难得以应用。为此,junwei??3??

阵列天线,介质谐振器


阻抗带宽宽,损耗低,无表面波激励[26 ̄29]。为此,RezaMovahedinia和??Mohammad?RezaChaharmir等人把介质谐振器天线(DRA)作为辐射单元设计了??介质谐振器ESAPR阵列天线[30 ̄35]。图1.3给出了?DRA-ESAPR的部分设计。文??献[30]设计了由微带线直接激励的H面耦合介质谐振器ESAPR阵列天线,该阵列??包含一个中心馈电的介质谐振器天线(DRA)和两个寄生介质谐振器,三个介质??谐振器尺寸相同且介电常数都为35.9,通过改变加载在寄生介质谐振器上的电控??值,实现了?H面上-30°到30°连续的波束转向。值得一提的是H面耦合不改变??介质谐振器天线的极化模式,对于E面耦合的介质谐振器ESPAR,文献[31]使用??缝隙耦合馈电方式,设计了?E面耦合的线极化三单元介质谐振器电控无源阵列天??线(DRA-ESPAR),实现了更大的波束转向,同时,[31]中将三单元的DRA-ESPAR??扩展到五单元的DRA-ESPAR[32]以及提出了以DRA-ESAPR子阵列实现更大阵列??布置的相关理论


本文编号:2907620

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