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量子弱相干单光子源的研究与实现

发布时间:2021-12-22 12:21
  随着科技的进步与发展,量子通信得到成熟发展,其关键技术中的单光子源技术越来越受重视,品质优良、稳定可靠的单光子源是提高量子通信质量的关键因素。量子通信中使用的单光子源一般是经过弱相干光通过强衰减得到的,但衰减后的光脉冲中不可避免的会出现含有多光子成分,单光子成分较少的情况,量子信息易被窃听,因此需要更为精确和稳定的光子制备方案,温度、驱动和偏置电压设计方案,保证光脉冲的稳定性和一致性,以及系统的成码率和计数率。为解决窃听问题采用了诱骗态方案,使用新型方式制备诱骗态光脉冲,以满足实际应用的需要。本文首先简述了量子通信和单光子的原理、发展和面临的问题,随后探讨单光子特性,介绍几种单光子的制备方案,并对诱骗态的原理进行分析。通过使用不同性能的驱动芯片,经过逻辑与上位机软件的精确控制,对数据进行分析处理,实现高速控制信号的延迟与处理,从而得到所需的窄脉冲驱动信号。对于诱骗态的制备则是基于电吸收调制的原理,将其原理电路集成在一个新型激光器中。经过处理后的激光器驱动电路所输出的关键信号,其频率、脉宽、驱动电流、偏置电流等关键参数均满足需求,脉宽范围可调,诱骗态电路可同时制备信号态和诱骗态光脉冲,且... 

【文章来源】:合肥工业大学安徽省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】:80 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

量子弱相干单光子源的研究与实现


光子的四种偏振态

激子发射,激发功率,锥形,下锥


可产生反聚束光[50-53]。Zwiller 等在锥状 GaAs 上面部分外延生长 InP 量子点,如图2.1 所示。随引发功率的加大,激子先出现且发射能量增大。在激发功率达到某程度,会产生双激子。次之激子发射能量随激发功率加强,而激子发射强度则随第二激子发射加强而减少[54-56]。

结构图,量子点,发光光谱,结构图


蚀的锥形 GaAs 结构图 (b)外延 InAs 后的 GaAs 锥形结构图率下锥形结构的激子发射图谱tched tapered GaAs structure (b) A GaAs tapered structure after ton emission pattern of a tapered structure at different excitation 洲联合小组采取量子点结构的 LED 光源实现电注示。在 GaAs 这种特殊衬底上产生单层自组建 InAs 量10μm2,量子点面密度为5×108cm-2。上表面的小孔便MHz。

【参考文献】:
期刊论文
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[8]基于特洛伊木马攻击的多用户树型量子信令损伤模型及修复策略[J]. 李超,聂敏.  光子学报. 2012(10)
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博士论文
[1]远距离量子密钥分发系统的相关研究[D]. 刘洋.中国科学技术大学 2012
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[4]量子通信理论研究[D]. 邓富国.清华大学 2004

硕士论文
[1]非可信源条件下量子密钥分发系统的研究与实现[D]. 王连辉.西安电子科技大学 2015
[2]常温单光子源的制备与测试[D]. 张革.北京交通大学 2015
[3]量子密钥分发系统安全性及退相干抑制研究[D]. 王争争.西安电子科技大学 2014
[4]量子通信中单光子源特性的研究[D]. 唐少杰.北京邮电大学 2011
[5]量子通信中准单光子源的制备与光子路由控制研究[D]. 吴可嘉.西安电子科技大学 2011
[6]量子密码及实现量子计算中CNOT的有效方案[D]. 张海龙.解放军信息工程大学 2007



本文编号:3546376

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