基于GaN开关管高频手机适配器研究

发布时间：2023-03-14 19:29

　　基于开关管高频化的问题,提出了符合MATLAB仿真的一种GaN开关管高频手机适配器的实验研究.通过对次级谐振有源钳位反激电路的仿真模型分析,设计了一种基于GaN开关管高频手机适配器.根据对有源钳位反激和无源钳位反激的比较分析,得出无源钳位反激的局限性.在有源钳位反激中,对比分析初级谐振和次级谐振,提出初级谐振的不足同时凸显次级谐振的优势.设计通过相应的控制策略和参数设定,能够提高适配器充电效率和变换器的功率密度,减少开关损耗,安全可靠.

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 ACF和PCF的比较分析
    1.1 效率比较
    1.2 PCF损耗分析
2 ACF的类型分析
    2.1 初级谐振ACF
    2.2 次级谐振的ACF
3 控制策略
    3.1 自适应调幅(AAM)
    3.2 自适应激增(ABM)
    3.3 低功率模式(LPM)
    3.4 备用功率模式(SBP)
4 参数设计
5 仿真分析和验证
6 结 语



本文编号：3762609