全反射式宽光谱成像椭偏仪

发布时间：2018-01-31 12:51

  本文关键词： 成像椭偏仪 薄膜 椭偏测量　出处：《光电工程》2016年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：本论文采用全反射式光学聚焦结构,通过独特的偏振控制技术,实现宽光谱、无色差成像椭偏仪的研制。在系统校准过程中采用多样品校准方法,利用校准得到的系统参数对待测样品进行成像椭偏分析,确定样品椭偏角ψ和s及薄膜厚度的空间分布。为测试自制成像椭偏仪的准确性,本文对3 nm~300 nm的Si O2/Si样品在200 nm~1 000 nm内多波长下进行成像椭偏测量。实验结果表明,Si O2薄膜厚度最大相对测量误差小于6%。
[Abstract]:In this paper, a full-reflection optical focusing structure is adopted, and a special polarization control technique is used to realize the development of a wide spectrum, colorless imaging ellipsometer. In the calibration process of the system, a multi-sample calibration method is adopted. The system parameters obtained by calibration are used to analyze the imaging ellipsometry of the measured sample, and the spatial distribution of the ellipsometry angle 蠄 and s and the thickness of the film are determined. The accuracy of the self-made imaging ellipsometer is tested. In this paper, the imaging ellipsometry of 3 nm~300 nm Sio _ 2 / Si samples with multiple wavelengths within 200 nm~1 _ (000) nm has been measured. The experimental results show that: 1. The maximum relative measurement error of Sio _ 2 film thickness is less than 6.
【作者单位】： 合肥工业大学仪器科学与光电工程学院;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室;
【基金】：中国科学院科研装备研制项目(28Y3YZ018001)
【分类号】：TH74
【正文快照】： 0引言光谱椭偏仪具有低成本、高效率、无损伤、非接触等优点,已成为半导体工业检测薄膜材料特征和厚度的重要仪器,为新材料和新工艺的快速研发发挥着日益关键的作用[1]。成像椭偏仪是在光学成像系统和传统椭偏仪共同基础上发展而来的以CCD或CMOS阵列为探测器实现高横向分辨率

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本文编号：1479106