国外巨磁阻抗传感器检测电路技术的发展动态

发布时间：2018-03-21 19:51

  本文选题：磁传感器　切入点：GMI/AGMI效应　出处：《仪器仪表学报》2017年04期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：基于非晶态合金材料巨磁阻抗(GMI)效应和非对称巨磁阻抗(AGMI)效应磁传感器是近20年来磁传感器技术领域的研究热点之一。一些国外学者认为非晶态合金材料适合于制作能同时满足分辨力高、响应速度快、功耗低等要求的微磁传感器。然而,迄今为止,国外研发的绝大多数高分辨力GMI磁传感器仍停留在原理样机阶段,其主要技术指标甚至低于商品化各向异性磁阻(AMR)和巨磁电阻(GMR)磁传感器。简要叙述了非晶态合金材料的GMI效应和退火处理对GMI效应的影响,重点介绍了国外研发的各种不同类型的基于非晶丝(带)的GMI磁探头、模拟信号检测电路及其参考性能指标,并探讨了研发高灵敏度GMI磁传感器的关键技术。
[Abstract]:Magnetic sensors based on giant magneto-impedance (GMI) effect and asymmetric giant magneto-impedance (GMI) effect in amorphous alloy materials have been one of the research hotspots in the field of magnetic sensor technology in recent 20 years. Some foreign scholars believe that amorphous alloy materials are suitable for. Can satisfy the high resolution at the same time, However, most of the high resolution GMI magnetic sensors developed abroad are still in the phase of principle prototype. The main technical specifications are even lower than those of commercial anisotropic magnetoresistive (AMR) and giant magnetoresistance (GMR) magnetosensors. The GMI effect of amorphous alloy materials and the effect of annealing on GMI effect are briefly described. Various kinds of GMI magnetic probes based on amorphous wire (band), analog signal detection circuits and their reference performance are introduced in detail. The key technologies of developing high sensitivity GMI magnetic sensors are also discussed.
【作者单位】： 国防科学技术大学机电工程与自动化学院;
【基金】：国家自然科学基金(91320202)项目资助
【分类号】：TP212

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本文编号：1645298