直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述

发布时间：2018-05-02 09:21

  本文选题：直拉硅单晶 + 过程建模　； 参考：《控制理论与应用》2017年01期

【摘要】：硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.本文针对直拉法电子级硅单晶生长过程,以晶体生长基本原理为基础,从生长建模、变量检测、控制方法等方面进行了全面的阐述,特别针对当今大尺寸、高品质硅单晶生长的要求,总结了目前所取得的主要研究成果与面临的问题,并提出了相应的研究思路和方法.
[Abstract]:Silicon single crystal is the most important semiconductor material, 90% of semiconductor devices and integrated circuit chips are made on silicon single crystal. With the rapid development of integrated circuit technology, the quality requirement of silicon single crystal has been improved. Czochralski (Czochralski) method is the main method to produce silicon single crystal. Its scientific principle and method, growth technology and technology, control strategy and means have always been the focus of attention and research in the field of theory and industry. In this paper, the growth process of electronic silicon single crystal by Czochralski method, based on the basic principle of crystal growth, is described in detail from the aspects of growth modeling, variable detection and control methods, especially for the large size of silicon crystal. The requirements of high quality silicon crystal growth are summarized, the main research achievements and problems are summarized, and the corresponding research ideas and methods are put forward.
【作者单位】： 西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心;
【基金】：国家自然科学基金重点项目(61533014) 国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(2014CB360508) 陕西省科技统筹创新工程计划(2016KTZDGY 03 03)资助~~
【分类号】：TN304.12;TP273

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