硅基高通量单细胞阵列芯片制备与研究

发布时间：2018-06-03 12:49

  本文选题：微机电系统技术 + 细胞黏附效率　； 参考：《传感器与微系统》2017年03期

【摘要】：采用微机电系统(MEMS)技术结合金属辅助化学腐蚀工艺制作出关键结构为纳米氧化硅的阵列芯片,细胞可以定点黏附在纳米氧化硅上。通过实验计算和分析得知,在0.7~23μm内,纳米线长度约为3μm时深宽比适宜,有利于黏附蛋白充分铺展,黏附效率达到最高85%。改变培养时间(5~480 min)和细胞浓度(0.5~4.0),发现培养时间在不低于4 h,细胞浓度在1.5时,由于伪足充分缠绕于纳米线上,阵列饱和度达到最高83%。实验结果表明:制作出的单细胞阵列芯片具有较高的黏附效率和阵列饱和度,达到了高通量的标准。
[Abstract]:Microelectromechanical system ( MEMS ) technology was used to fabricate the array chip of nano - silicon oxide by using the metal - assisted chemical etching process . The cell could be adhered to the nano - silicon oxide at a fixed point . It was found that the length of the nanowires was up to 85 % . The experimental results showed that the cell concentration was up to 85 % . The cell concentration was up to 83 % . The experimental results show that the single cell array chip has high adhesion efficiency and array saturation , and the standard of high flux is achieved .
【作者单位】： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室;中国科学院大学;
【分类号】：TN492

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：1972837