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CMOS传感器紫外敏化膜层的厚度优化及其光电性能测试

发布时间:2018-08-27 17:21
【摘要】:采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内.
[Abstract]:Lumogen thin films with different thickness and high price were deposited on the photosensitive surface of CMOS image sensor by vacuum thermal resistance. It is found that the dark current noise of CMOS sensors with different thickness of Lumogen films does not change obviously, which indicates that the vacuum thermal evaporation does not cause thermal damage to the complementary metal oxide semiconductor devices, and the non-uniformity of optical response increases with the increase of film thickness. The dynamic range decreases with the increase of film thickness, and the quantum efficiency increases first and then decreases with the increase of film thickness. At the same time, it is found that the optimal thickness of the sensitized film is 389nm, and the quantum efficiency of the CMOS sensor increases by 10%, and the optical response is non-uniform, and the dynamic range is in a relatively good range.
【作者单位】: 上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室教育部光学仪器与系统工程研究中心;
【基金】:上海高校青年教师培养资助计划~~
【分类号】:TP212

【参考文献】

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【共引文献】

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【二级参考文献】

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本文编号:2207932

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