超连续谱光源辐照可见光CMOS图像传感器的实验研究

发布时间：2018-09-05 07:46

【摘要】：研究了超连续谱光源对可见光CMOS图像传感器辐照的实验现象和规律。观察到随着入射激光功率的不断增大,CMOS图像传感器依次出现了像元饱和、局部饱和、局部过饱和以及全屏饱和等现象。与1 060 nm锁模光纤激光辐照同种图像传感器的实验相对比,从有效干扰面积、图像相关度及图像均方差等三个方面,对比了两种干扰源在影响CMOS图像传感器成像质量方面的异同,发现CMOS图像传感器的响应特性、激光的频谱特性和成像光学系统的色散是导致干扰效果差异的主要原因。
[Abstract]:The experimental phenomena and rules of supercontinuum spectral source irradiation on visible CMOS image sensor are studied. It is observed that with the increasing of incident laser power, the pixel saturation, local supersaturation and full-screen saturation are observed successively in CMOS image sensors. Compared with the experiment of 1 060 nm mode-locked fiber laser irradiating the same image sensor, the effective interference area, image correlation and image mean square error are three aspects. By comparing the differences and similarities of two kinds of interference sources affecting the imaging quality of CMOS image sensors, it is found that the response characteristics of CMOS image sensors, the spectral characteristics of laser and the dispersion of imaging optical system are the main reasons leading to the difference of interference effect.
【作者单位】： 电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室;
【基金】：脉冲功率激光技术国家重点实验室基金(SKL2014ZR09)
【分类号】：TP212

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本文编号：2223637