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喹诺酮类药物分子印迹传感器的研究

发布时间:2017-07-16 04:05

  本文关键词:喹诺酮类药物分子印迹传感器的研究


  更多相关文章: 分子印迹 电化学传感器 电聚合 方波伏安法


【摘要】:分子印迹技术(molecular imprinting technology)是合成对某一特定目标分子(印迹分子,模板分子)具有特异选择性的聚合物,具有预定性,较高的识别性,抗外界环境干扰性强,可重复使用等的优点,其在电化学传感器领域的应用近些年引起广泛关注。分子印迹聚合物膜固定在电极上的方法有很多种,其中电化学聚合法具有制备简单、膜厚可控、膜在电极上的附着力能力强、重现性好等的特点,用该方法制备传感器可以提高工作效率。本论文简要介绍了喹诺酮类药物的应用现状,将分子印迹技术与电化学技术相结合,利用电化学聚合法获得了喹诺酮类药物分子印迹电化学传感器。用方波伏安法(SWV)表征对分子印迹电化学传感器的性能,并将其应用于药物制剂的检测。其主要内容概述如下:(1)吡咯(Py)和邻苯二胺(o-PD)为复合单体,盐酸环丙沙星(CPX)为模板,采取循环伏安法(CV)合成了一种盐酸环丙沙星传感器。采用方波伏安法研究了该传感器对盐酸环丙沙星的响应特性,在最优的实验条件下,实验结果表明在1.0×10~(-3)~1.6×10~(-9)mol/L范围内,分子印迹电化学传感器的峰电流差(△i)与盐酸环丙沙星浓度的对数呈现线性(相关系数为R=0.9981),最低检测限为7.58×10~(-11)mol/L(S/N=3),该印迹传感器具备良好的选择性,将该印迹传感器测定实际药片中的盐酸环丙沙星含量,其标准偏2.01%~3.27%。(2)以吡咯和邻苯二胺为单体,恩诺沙星(EF)为模板,通过电聚合法合成了一种对恩诺沙星具有特异选择性的分子印迹电化学传感器。通过方波伏安法表征了该印迹电极的电化学性能,实验证明恩诺沙星传感器表现出了选择性好,灵敏度高,对恩诺沙星的线性检测范围是1.0×10~(-4)~1×10~(-10)mol/L,相关系数R=0.9994,检测限6.57×10~(-13)mol/L(S/N=3),该传感器成功测定了药物中恩诺沙星的含量。(3)利用分子印迹技术和电化学聚合方法结合的方法制备诺氟沙星分子印迹传感器。通过方波伏安法研究该传感器的电化学行为,结果表明在优化实验条件下,诺氟沙星(NRF)的浓度在1.0×10~(-3)~1.0×10~(-9)mol/L范围内,浓度负对数与峰电流差呈线性关系,其线性方程:△i=2.07879+0.19926 logc(mol/L),其相关系数为R=0.9992,检出限为3.69×10~(-11)mol/L,所制备的传感器有较好的重现性选择性能,应用于诺氟沙星药物中测定其含量。
【关键词】:分子印迹 电化学传感器 电聚合 方波伏安法
【学位授予单位】:河南师范大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:O631.3;TP212
【目录】:
  • 摘要4-6
  • ABSTRACT6-11
  • 第一章 绪论11-23
  • 1.1 喹诺酮药物11-13
  • 1.1.1 喹诺酮类抗生素的使用状况及危害12-13
  • 1.1.2 常见氟喹诺酮类抗生素分析检测方法13
  • 1.2 分子印迹技术的概述13-21
  • 1.2.1 传感器的介绍14
  • 1.2.2 分子印迹电化学传感器的分类14-17
  • 1.2.3 分子印迹电化学传感器的制备方法17-19
  • 1.2.4 分子印迹电化学传感器的应用19-21
  • 1.3 课题研究的意义及主要工作21-23
  • 第二章 盐酸环丙沙星分子印迹电化学传感器23-35
  • 2.1 引言23
  • 2.2 实验部分23-25
  • 2.2.1 试剂与仪器23-24
  • 2.2.2 电极的制备24
  • 2.2.3 印迹电极的制备24-25
  • 2.2.4 检测方法25
  • 2.3 结果与讨论25-34
  • 2.3.1 分子印迹膜的电聚合25-26
  • 2.3.2 分子印迹膜的电化学性能26-27
  • 2.3.3 分子印迹传感器制备条件的优化27-31
  • 2.3.4 分子印迹传感器的性能分析31-34
  • 2.4 本章小结34-35
  • 第三章 恩诺沙星分子印迹电化学传感器35-47
  • 3.1 引言35-36
  • 3.2 实验部分36-37
  • 3.2.1 试剂与仪器36
  • 3.2.2 印迹电极聚合膜的制备36-37
  • 3.2.3 电化学检测37
  • 3.3 结果与讨论37-46
  • 3.3.1 印迹膜的电化学聚合37-38
  • 3.3.2 分子印迹膜的电化学行为38
  • 3.3.3 印迹膜制备条件的优化38-43
  • 3.3.4 恩诺沙星分子印迹电化学传感器性能的测试43-46
  • 3.4 本章小结46-47
  • 第四章 诺氟沙星分子印迹电化学传感器47-59
  • 4.1 引言47
  • 4.2 实验部分47-49
  • 4.2.1 试剂与仪器47-48
  • 4.2.2 分子印迹电极的制备48
  • 4.2.3 电化学检测48-49
  • 4.3 结果与讨论49-58
  • 4.3.1 分子印迹传感器的制备49
  • 4.3.2 分子印迹传感器的表征49-50
  • 4.3.3 洗脱溶液的选择50-51
  • 4.3.4 制备过程中条件的优化51-55
  • 4.3.5 传感器电化学性能的测试55-58
  • 4.4 本章小结58-59
  • 第五章 结论与展望59-61
  • 5.1 结论59-60
  • 5.2 展望60-61
  • 参考文献61-71
  • 致谢71-72
  • 攻读硕士学位期间的科研成果72-73

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