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401. 凹槽栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件特性研究
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402. 氨气与温度对HCVD法合成GaN纳米材料的影响
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403. In组分渐变的InGaN/GaN多量子阱结构光学特性
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404. 基于GAN-PSO-ELM的网络入侵检测方法
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405. 基于天线优化的GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器
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406. 基于GaN器件的双向CLLC谐振变换器分析与设计
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407. GaN开关高频谐振DC-DC变换器研究
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408. 高应力下AlGaN/GaN HEMT器件特性与失效机理研究
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409. Si基GaN功率器件辐照失效机理与可靠性研究
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410. AlGaN/GaN HEMT器件栅漏区域电学性能的研究
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