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591. A novel enhancement mode AlGaN/GaN high electron mobility tr
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592. Optimization design on breakdown voltage of AlGaN/GaN high-e
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593. 高压下半导体材料ZrS 2 和GaN的结构演化和电子性质调控研究
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594. 基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN场效应晶体管（英文）
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595. 基于感光栅极GaN高迁移率晶体管的新型探测器制备与优化（英文）
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596. 非极性面AlGaN/GaN异质结各向异性迁移率的理论研究
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597. 形核层生长速率和阱层生长温度对MOCVD生长GaN外延薄膜的影响
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598. Cascode型GaN HEMT输出伏安特性及其在单相逆变器中的应用研究
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599. 用于饮用水中有害阴离子检测的GaN基HEMT传感器的研究
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600. 表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响
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