μSR谱仪样机读出电子学系统研制
【学位单位】:中国科学技术大学
【学位级别】:博士
【学位年份】:2019
【中图分类】:TL817
【部分图文】:
500MeV)与目标靶(一般使用碳靶或者铍靶)的碰撞通过可能的反应(p?+?p?—??]3?+?n?+?7r+或p?+?n-^n?+?n?+?7r+)产生次级粒子7T+介子,而7T+非常不稳定,容??易在平均寿命为26.03?ns的时间内衰变成p?(7T+p?+?Vp),如图1.2所示。??4??
质子轰击目标靶之后虽然会产生大量的7T介子,但是这些7T介子分成两种,一??种是动能比较小的7T介子停止在目标IE的表面附近,然后衰变,产生的^子被称??为表面(I?(SurfaceMuon)(如图1.3所示);另一种是动能比较大的7r介子逃逸出??目标靶,然后在外部空间中衰变,产生的H子被称为衰变R?(如图1.4所示)。表??面H和衰变H的主要区别就是它们有不同的动量(表面p的动能更低)、不同的??样品注入深度(表面p注入的深度更浅)和不同的极化率(表面p是基本1〇〇%??极化的,而衰变p是80%左右)。表面p只可能是n+,因为停止在目标靶表面附??近的JT介子在发生衰变之前基本上都会被核捕获,只有衰变p才存在f和厂。??与31介子动量方向相反发射的(1子被称为后向H子(Backward?)x),其可以通过??弯曲磁体来进行选择性地提取(前向H子被7:介子所污染而一般难以提取)。虽??然这种方法也可以用于H+SR,但是对于fTSR来说,这是获取厂的唯一选择。与??表面^相比,后向^具有更高的动量(大约50-100?MeV/c)、更大的动量扩散和??更大的相空间。虽然后面两个特征不是非常理想,但是后向p是研究厚靶容器中??的样品的唯一手段
图1.4衰变^产生过程示意图??.2.3?^子源的分类??据时间结构来分类,可以把K子源分成连续型和脉冲型。连续型的续的质子源产生,没有任何明显的时间结构。这种K子源的优点是测器和电子学的条件下,可以使pSR的时间分辨非常高(小于lO辨只取决于探测系统的时间分辨,而更好的时间分辨可以检测更大的弛豫信号。每次只能有一个^子可以被注入样品中,当K子到达器,当检测到p子衰变产生的正电子时就停止计数器,这段时间内子到达,否则就不能判断是哪一个jx子发生了衰变。一个子的衰束之后才能开始下一个p子衰变时间的测量,否则就会出现“堆以^子束流的速率就受到了限制,一般限制在l〇5[i+/s甚至更低,受到了限制。除了在束流中点上最佳的^子束外,其他所有的束流器滤掉,所以一般用于测一些小且薄的样品。??
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本文编号:2865792
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