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CFETR水冷陶瓷增殖剂包层结构设计与力学分析研究

发布时间:2021-01-04 07:53
  水冷陶瓷增殖剂包层是中国聚变工程实验堆(CFETR)的候选包层概念之一。为满足CFETR氚自持目标(TBR≥1.1),本文在中子学设计和热工水力学设计的基础上,开展了水冷陶瓷增殖剂包层的结构设计和力学性能分析研究,验证了包层结构设计的安全性和可靠性,为包层下一步的工程设计和制造提供提供重要依据。本文采用“一次通过式”水冷陶瓷增殖剂包层概念,在包层中子学热工耦合优化程序一维径向布置优化的基础上,完成了全扇段1#包层-10#包层的三维结构设计。包层采用集成冷却板结构,冷却板流道串联布置以实现冷却剂流量均匀分配。氚吹扫系统采用本文提出的横向氚吹扫方案,氚吹扫流道集成在加强隔板中,可以实现球床中氚的横向吹扫,同时降低氚吹扫压降。基于包层全扇段详细结构模型,本文采用ANSYS磁标量法和磁矢量法分别进行了包层静磁场分析和瞬态磁场分析,获得了作用于包层的磁化力和洛伦兹力,为包层多物理场耦合结构分析提供载荷源项。包层洛伦兹力结果显示,在等离子体垂直位移事件(VDE)下,按整块布置的钨铠甲承受极大的洛伦兹力(271 kN),建议包层采用小模块钨铠甲结构,减小作用于钨铠甲的洛伦兹力。在获得包层电磁载荷的基... 

【文章来源】:中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章页数】:121 页

【学位级别】:博士

【部分图文】:

CFETR水冷陶瓷增殖剂包层结构设计与力学分析研究


图1.2?HCPB结构设计演变(2013-2015)??KIT于2015年提出的HCPB?DEMO包层的最新版本以提高包层TBR为主??要设计目?

包层,版本,优化目标,结构设计


图1.3?HCLL结构设计(2013)??CEA?于?2014?年提出的?“Advanced”?版本?HCCLPPPTDEMO?包层[|4-15](如??图1.4所示)以满足DEMO?TBR要求(TBR21.1)为优化目标。该包层在??“Optimised-Conservative”版本HCLL包层基础上进行了修改:(1)去除垂直加??强隔板;(2)将第一壁联箱置于BSS中,使包层联箱级数由4减小到3,增加了??增殖区径向厚度;(3)增殖单元中冷却板的数量从3减小到2。相对于??“Optimised-Conservative”版本HCLL包层,该包层结构简单,结构钢用量减小,??增殖剂用量增加,使得TBR明显增大(TBR=1.14)。包层的冷却方案与??“Optimised-Conservative”版本HCLLDEMO包层基本相同,由于包层去除了垂??直加强隔板,新包层无需对其进行冷却。??CEA于2015年提出的“Advanced+”版本HCCL?PPPT?DEMO包层在??“Advanced”版本HCLL包层基础上将去除了增殖单元冷却板,包层只有一个??5??

结构设计图,结构设计,包层


度为325°C)作为冷却剂,PbLi作为氚增殖剂和中子倍增剂,EOROFER97作为??结构材料。??法国CEA在2013年提出了“多模块扇段”?WCLLDEMO包层(如图1.5??所示),多包层模块连接在BSS上,构成一个扇段。包层第一壁流道沿径向—环??向—径向布置。包层内部布置有极向-径向加强隔板和环向-极向加强隔板,构成??LiPb的流道通道,可使其沿径向—极向向上一进行流道。呈“C形”沿径向—??极向—径向布置的冷却管对增殖单元进行冷却。冷却管采用双壁结构,可以降低??因冷却管破裂而发生水PbLi反应的概率。该包层的特色之一是第一擘和增殖区??采用两套独立的冷却系统,可保证在其中一套冷却系统失效的情况下,另一套冷??却系统可对包层予以冷却。包层采用“集成式”联箱,结构简单。WCLL包层由??于LiPb在低于结构钢许用温度(550?°C)下工作,其内部加强隔板和挡板均不??需布置冷却流道

【参考文献】:
期刊论文
[1]Updated neutronics analyses of a water cooled ceramic breeder blanket for the CFETR[J]. 张小康,刘松林,李夏,祝庆军,李佳.  Plasma Science and Technology. 2017(11)

硕士论文
[1]功能梯度材料压力容器热力耦合应力分析[D]. 高淑娟.大连理工大学 2013



本文编号:2956429

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