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基于MCNP的HPGe探测器无源效率刻度

发布时间:2021-04-13 00:44
  本文建立了HPGe探测器的MCNP模型,模拟了152Eu标准源主要γ射线全能峰的峰效率,与HPGe探测器的效率刻度实验进行对比分析,依次调整探测器的锗晶体半径、死层厚度和空气间隙,对HPGe探测器的模型参数进行优化。实验结果的对比分析表明,将探测器的晶体半径减少2 mm,探测器死层厚度增加0.1 mm,探测器内部的空气间隙增加4 mm后,模拟结果与实验结果相符,且误差不超过5%。 

【文章来源】:核安全. 2020,19(03)

【文章页数】:5 页

【部分图文】:

基于MCNP的HPGe探测器无源效率刻度


HPGe探测器的MCNP模型

基于MCNP的HPGe探测器无源效率刻度


HPGe探测器152Eu源响应能谱的MCNP模拟结果

基于MCNP的HPGe探测器无源效率刻度


实验和MCNP模拟的全能峰效率


本文编号:3134291

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