CFETR水冷陶瓷增殖剂包层中子学分析

发布时间：2023-04-28 17:59

　　基于中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷陶瓷增殖剂(WCCB)三维中子学模型,应用蒙特卡罗输运程序MCNP5和IAEA聚变评价核数据库FENDL2.1,完成了WCCB中子学性能分析。研究了在200MW、500MW、1.0GW、1.5GW聚变功率下中子壁载荷(NWL)、氚增殖率(TBR)、核热沉积以及包层材料的辐照损伤。结果显示,目前WCCB包层核分析结果满足CFETR设计要求。

【文章页数】：8 页

【文章目录】：
1 引言
2 水冷包层更新设计
3 分析模型、材料和程序
4 分析结果
    4.1 中子壁载荷
    4.2 氚增殖率
    4.3 核热沉积
    4.4 辐照损伤
5 总结



本文编号：3804193