当前位置:主页 > 理工论文 > 核科学论文 >

CFETR磁体系统的中子学计算及活化分析

发布时间:2024-10-04 23:07
   用蒙特卡洛中子输运程序(MCNPX)对中国聚变工程实验CFETR超导磁体进行中子学输运计算,利用欧洲活化计算程序FISPACT对其进行活化计算分析,针对计算结果重点分析了磁体系统的中子学剂量分布以及活化情况。计算结果表明,中子能量通量最大处出现在聚变堆内侧线圈处,为3.97×1014 Me V·m-2,在该条件下超导线圈可以满足设计要求。停机后磁体组件的活度为3.33×1010Bq·kg-1,停机10年后下降2个数量级达到6.14×108Bq·kg-1。研究结果验证了所使用的CFETR 3维模型满足初步设计条件。

【文章页数】:7 页

【部分图文】:

图1CFETR3维剖面的示意图

图1CFETR3维剖面的示意图

第3期乔世吉等:CFETR磁体系统的中子学计算及活化分析355满足包层的工程要求。CFETR的设计采用Li4SiO4作为氚增殖材料,Be作为中子倍增剂[14],具体比例列于表1中。完成建模后的3维模型外形以及截面图如图4所示。图1CFETR3维剖面的示意图图2CFETR工程设计基....


图2CFETR工程设计基本尺寸

图2CFETR工程设计基本尺寸

第3期乔世吉等:CFETR磁体系统的中子学计算及活化分析355满足包层的工程要求。CFETR的设计采用Li4SiO4作为氚增殖材料,Be作为中子倍增剂[14],具体比例列于表1中。完成建模后的3维模型外形以及截面图如图4所示。图1CFETR3维剖面的示意图图2CFETR工程设计基....


图3CFETR部件径向分布尺寸

图3CFETR部件径向分布尺寸

第3期乔世吉等:CFETR磁体系统的中子学计算及活化分析355满足包层的工程要求。CFETR的设计采用Li4SiO4作为氚增殖材料,Be作为中子倍增剂[14],具体比例列于表1中。完成建模后的3维模型外形以及截面图如图4所示。图1CFETR3维剖面的示意图图2CFETR工程设计基....


图43维建模结果(a)以及截面图(b)

图43维建模结果(a)以及截面图(b)

356核聚变与等离子体物理第37卷图43维建模结果(a)以及截面图(b)0.3MW·m-2,对归一化数据进行刻度,在此基础上进行模型验证分析[19]。磁铁活化计算包括以下步骤:1)用MCNPX程序进行中子输运计算,确定满功率运行时磁体部件包层各分区的中子能谱;2)用FISPACT....



本文编号:4007248

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/projectlw/hkxlw/4007248.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户8d146***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com