铝电解加料过程控制及监控系统的设计与实现

发布时间：2021-07-15 16:51

　　铝电解槽内电解质中氧化铝的浓度,是维持铝电解槽正常生产最重要的参数之一,而目前氧化铝浓度辨识所采用的信号为激励信号,其响应速度较慢,滞后性较强,辨识结果容易受电流、分子比、温度、噪声等干扰因素的影响,这些辨识过程的不稳定性对电解槽的稳定造成了较大的影响。初晶温度对于铝电解过程是极其重要的参数,而且对于铝电解过程中氧化铝浓度的监视,也主要体现在对电解质初晶温度的监测方面,它反映了电解槽中电解质的挥发性、流动性等性能,而且掌握初晶温度信息对提高铝电解过程中电流效率、降低能耗、电解槽控制有积极意义。因此,初晶温度是铝电解生产工艺不可或缺的基础数据和参数,初晶温度的研究是展开低温电解工艺、开发新型节能降耗电解装备等绿色环保生产研究的重要前提之一。在通过调查研究和大量的文献阅读基础上,本文以软硬件相结合设计的方法,对初晶温度的测量方法进行了研究,从而达到对氧化铝浓度的监视,同时对系统设计过程中遇到的问题提出了相应的解决方案,最终是以实现合理控制铝电解过程中氧化铝的加料为目的。论文主要工作如下:1、提出基于电解质温度的测量与采集方法,设计温度的检测系统方案,并且详细论证了方案的可行性。2、在硬件设... 

【文章来源】：电子科技大学四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：92 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

Bi-Cd体系冷却曲线

图 2-2 8051 引脚图1、Vcc 和 VssVcc：接+5V 电源Vss：接电源地2、时钟电路引脚 X1 和 X2X1：接外部晶体的一端。反相放大器的输入端，该引脚必须接地；对于 CHMOS单片机，该引脚悬空。X2：接外部晶体的别一端。3、输入/输出（I/O）引脚 P0、P1、P2 和 P3P0.0~P0.7：P0 口是 8 位双向 I/O 端口，作为各个芯片的数据/地址线。P1.0~P1.7：P1 口是 8 位双向 I/O 端口，可以驱动 4 个 LSTTL 负载。P2.0~P2.7：P2 口是 8 位准双向 I/O 端口，作为各扩展芯片的高 8 位地址线和控制线使用。

铝电解槽控制系统，是本着控制功能分散与决策管理集中的原则进行设计三级网络式控制和决策管理相结合的结构形式。系统分为过程控制级、级，过程管理监控级。将系列数据采集、过程监控和生产管理有机地结制系统具有可靠性高、适应性强和灵活方便等特点。系统配置方案如后图。

【参考文献】：
期刊论文
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硕士论文
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本文编号：3286095