当前位置:主页 > 硕博论文 > 工程硕士论文 >

金属有机框架MIL-101的改性及其有机物脱除性能的研究

发布时间:2021-01-31 22:07
  金属有机框架(Metal-organic frameworks,MOFs)由于具有大的比表面积、高的孔隙率和丰富的活性位点等特性,成为高效光催化剂的前驱体。通过直接煅烧MOFs得到的MOFs衍生的多孔碳材料,不仅继承了MOFs材料的特点,而且具有良好的导电性和稳定性,因此在光催化领域引起了人们的关注。然而,MOFs及其衍生的多孔碳材料常具有较大的禁带宽度,在可见光照射下不易被激发,导致光催化性能较低,有效的策略是采用半导体改性来提高性能。因此,本文将α-Fe2O3与MOFs及其衍生的多孔碳相复合获得高性能的光催化剂,具体研究结果如下:首先,本文成功地合成了MIL-101(Cr),再通过水热法制备了一系列α-Fe2O3(C)/MIL-101(Cr)复合光催化剂。由X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)可知,与单一相α-Fe2O3比较,复合光催化剂中α-Fe2O3具有较小的颗粒尺寸而比表面积大幅提升,达948.6 m2/g。通过捕获实验,带边位置分析和电子自旋共振(ESR)测试说明α-Fe2O3和MIL-101(Cr)之间形成了Z-型异质结。进一步通过高分... 

【文章来源】:燕山大学河北省

【文章页数】:93 页

【学位级别】:硕士

【部分图文】:

金属有机框架MIL-101的改性及其有机物脱除性能的研究


传统异质结光催化三种类型机理简图[48]

异质结,光催化,机理,半导体


燕山大学工学硕士学位论文-8-光催化剂更快。图1-2p-n异质结光催化机理简图[49]1.4.5Z-型异质结光催化原理尽管传统的II型异质结能够分离光生电子-空穴对,但是还原反应发生在还原电位较低的半导体B上,而氧化反应发生在氧化电位较低的半导体A上,这导致传统的II型异质结光催化剂的氧化还原能力降低。因此,提出了一种Z-型异质结光催化,它的能带结构与II型异质结的能带结构类似,但光生载流子转移的路径不同。Z-型异质结光催化机理如图1-3所示:在光照条件下,光生电子从半导体A的CB转移到半导体B的VB,并与半导体B中的空穴相结合,最终电子会聚集到半导体B的VB上,而空穴会聚集到半导体A的CB。Z-型异质结光催化剂不仅降低了光生载流子的复合,而且保留了半导体A和B较强的氧化还原能力,有效地提高光催化性能。图1-3Z-型异质结光催化机理简图[50]

异质结,光催化,机理,半导体


燕山大学工学硕士学位论文-8-光催化剂更快。图1-2p-n异质结光催化机理简图[49]1.4.5Z-型异质结光催化原理尽管传统的II型异质结能够分离光生电子-空穴对,但是还原反应发生在还原电位较低的半导体B上,而氧化反应发生在氧化电位较低的半导体A上,这导致传统的II型异质结光催化剂的氧化还原能力降低。因此,提出了一种Z-型异质结光催化,它的能带结构与II型异质结的能带结构类似,但光生载流子转移的路径不同。Z-型异质结光催化机理如图1-3所示:在光照条件下,光生电子从半导体A的CB转移到半导体B的VB,并与半导体B中的空穴相结合,最终电子会聚集到半导体B的VB上,而空穴会聚集到半导体A的CB。Z-型异质结光催化剂不仅降低了光生载流子的复合,而且保留了半导体A和B较强的氧化还原能力,有效地提高光催化性能。图1-3Z-型异质结光催化机理简图[50]

【参考文献】:
期刊论文
[1]Fe2O3/TiO2纳米管阵列的制备及其光催化性能[J]. 黄益操,赵浙菲,李世雄,邸婧,郑华均.  无机化学学报. 2015(01)



本文编号:3011660

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/shoufeilunwen/boshibiyelunwen/3011660.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户d0998***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com