Nd 1-X Y x NiO 3 /LaAlO 3 外延薄膜的金属—绝缘体相变
发布时间:2021-07-04 01:50
金属-绝缘体相变现象一直是凝聚态物理中倍受关注的热点和研究重点。在众多金属-绝缘体相变材料中,钙钛矿型稀土过渡金属氧化物RNiO3(R稀土元素,R≠La)由于具有明显的温度驱动的金属-绝缘体相变,使其在开关、传感器和热致变色器件等方面具有重要的潜在应用价值,吸引了人们的强烈关注。但RNiO3体系的相变温度均不在室温附近,将其调节到室温附近对于实际器件应用非常重要。因此,研究RNiO3体系的相变温度调控,以及掺杂、应力和电场等对其结构和相变性质的影响具有重要意义。本论文在成功制备NdNiO3/LaAlO3外延薄膜的基础上,首先研究了薄膜厚度效应对相变性能的影响,其次通过对NdNiO3进行不同浓度的Y元素掺杂,将其相变温度调节到室温附近,并研究了Y掺杂对其结构和相变性质的影响,最后对相变温度在室温附近的Nd0.7Y0.3NiO3/LaAlO3外延薄膜,研究了电场对薄膜相变的驱动及对相变温度的调谐作用,并初步探索了薄膜的忆阻效应。第一章是背景知识介绍以及相关工作的最新研究进展。首先介绍了金属-绝缘体相变的几种机制,如能带理论、Anderson相变、Peierls相变、Wilson相变与Mot...
【文章来源】:中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:118 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1.2诱导强关联电子氧化物相变的几种不同因素[4]:?(0为在温度变化下V02的电阻在??4K的温度范围内产生了?4个量级的电阻变化[6]
图1.5?Hubbard模型的能带结构示意困。W,U分别表电子的能带宽度和库仑相互作.3巧紋矿稀±镇酸盤RNi〇3的研究进展??巧铁矿稀止镇酸盐RNi〇3?(民通常指除La?W外的铜系元素[15-18])型的具有MI相变的强关联电子氧化物,表1.1给出了部分RNi〇3?(民=u、Gd、Dy、Ho、Y)的晶体结构及空间群参数[19]。RNi〇3具有从低溫到高温金属态的锐利MI相变,并伴随着在Tmi附近较大的电导率、红外、红外反射率的改变。??
图1.11不同温度下,SmNi03薄膜电流随电压的变化关系[40]??1.3.5调节民Ni化相变温度的方法??如图1.8所示,除了?SmNi〇3相变温度在100摄氏度附近,其它稀止离子??RNi化的相变温度远高于或低于室温,限制了其实际的应用价值。因此,人们??急需获得相变温度在室温附近的RNi〇3相变材料。近些年来,通过衬底表面的??应力作用、渗杂或者引入栅极电压,可^文达到调拉RNi〇3薄膜相变温度的口的,??下面重点介绍调控RNi〇3薄膜相变温度的几种方法。??(1)应力:民饥〇3薄膜之所|^能制备成功,外延应力起到重要的作用,所??薄膜与单晶衬底之间的界面应力及其对薄膜相变温度Tmi的影响,---直来??受到人们的关注。通过改变薄膜厚度和衬底类型来改变应为的大小,引起RNi〇3??薄膜晶格常数变化,导致Ni〇6八面体扭曲程度及费米面附近能带结构的改变,??从而使相变温度Tm
【参考文献】:
期刊论文
[1]α-SiN:H薄膜的光学声子与VO2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性[J]. 陈长虹,黄德修,朱鹏. 物理学报. 2007(09)
[2]红外反射光谱的原理和方法[J]. 李岗,王楠林. 物理. 2006(10)
[3]脉冲激光沉积(PLD)原理及其应用[J]. 唐亚陆,杜泽民. 桂林电子工业学院学报. 2006(01)
[4]脉冲激光沉积(PLD)的研究动态与新发展[J]. 高国棉,陈长乐,陈钊,李谭,王永仓,金克新,赵省贵. 材料导报. 2005(02)
[5]脉冲激光气相沉积技术现状与进展[J]. 张超,吴卫东,陈正豪,周岳亮,孙卫国,唐永建,程新路. 材料导报. 2003(12)
[6]脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的研究现状与展望[J]. 戢明,宋全胜,曾晓雁. 真空科学与技术. 2003(01)
本文编号:3263782
【文章来源】:中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】:118 页
【学位级别】:博士
【部分图文】:
图1.2诱导强关联电子氧化物相变的几种不同因素[4]:?(0为在温度变化下V02的电阻在??4K的温度范围内产生了?4个量级的电阻变化[6]
图1.5?Hubbard模型的能带结构示意困。W,U分别表电子的能带宽度和库仑相互作.3巧紋矿稀±镇酸盤RNi〇3的研究进展??巧铁矿稀止镇酸盐RNi〇3?(民通常指除La?W外的铜系元素[15-18])型的具有MI相变的强关联电子氧化物,表1.1给出了部分RNi〇3?(民=u、Gd、Dy、Ho、Y)的晶体结构及空间群参数[19]。RNi〇3具有从低溫到高温金属态的锐利MI相变,并伴随着在Tmi附近较大的电导率、红外、红外反射率的改变。??
图1.11不同温度下,SmNi03薄膜电流随电压的变化关系[40]??1.3.5调节民Ni化相变温度的方法??如图1.8所示,除了?SmNi〇3相变温度在100摄氏度附近,其它稀止离子??RNi化的相变温度远高于或低于室温,限制了其实际的应用价值。因此,人们??急需获得相变温度在室温附近的RNi〇3相变材料。近些年来,通过衬底表面的??应力作用、渗杂或者引入栅极电压,可^文达到调拉RNi〇3薄膜相变温度的口的,??下面重点介绍调控RNi〇3薄膜相变温度的几种方法。??(1)应力:民饥〇3薄膜之所|^能制备成功,外延应力起到重要的作用,所??薄膜与单晶衬底之间的界面应力及其对薄膜相变温度Tmi的影响,---直来??受到人们的关注。通过改变薄膜厚度和衬底类型来改变应为的大小,引起RNi〇3??薄膜晶格常数变化,导致Ni〇6八面体扭曲程度及费米面附近能带结构的改变,??从而使相变温度Tm
【参考文献】:
期刊论文
[1]α-SiN:H薄膜的光学声子与VO2基Mott相变场效应晶体管的红外吸收特性[J]. 陈长虹,黄德修,朱鹏. 物理学报. 2007(09)
[2]红外反射光谱的原理和方法[J]. 李岗,王楠林. 物理. 2006(10)
[3]脉冲激光沉积(PLD)原理及其应用[J]. 唐亚陆,杜泽民. 桂林电子工业学院学报. 2006(01)
[4]脉冲激光沉积(PLD)的研究动态与新发展[J]. 高国棉,陈长乐,陈钊,李谭,王永仓,金克新,赵省贵. 材料导报. 2005(02)
[5]脉冲激光气相沉积技术现状与进展[J]. 张超,吴卫东,陈正豪,周岳亮,孙卫国,唐永建,程新路. 材料导报. 2003(12)
[6]脉冲激光沉积(PLD)薄膜技术的研究现状与展望[J]. 戢明,宋全胜,曾晓雁. 真空科学与技术. 2003(01)
本文编号:3263782
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