PMSM的SiC MOSFET驱动技术研究

发布时间：2022-01-15 19:15

　　近年来,由于具有高耐压、低导通电阻、开关速度快、结温高等优点,宽禁带半导体功率器件SiC MOSFET在交流伺服调速系统中的应用逐渐广泛,已经成为交流伺服驱动器新的发展趋势。本文在这种背景下,针对PMSM的SiC MOSFET驱动器开展了一些研究。在广泛调研基于SiC的PMSM驱动器研究进展的基础上,分析SiC MOSFET应用于PMSM电机驱动系统中所衍生出的问题,然后针对这些问题提出自己的解决方法。首先进行主回路设计,分析了高频开关下主回路寄生电感的影响,结合满足直流侧能量吞吐的容值计算结果和铝电解电容的频率特性,确定本文所需电容板的具体容值。然后分别对SiC MOSFET的驱动电压、驱动电流、驱动功率、驱动电阻在实际的应用条件进行详细的分析与计算,对SiC MOSFET在高开关频率下的串扰,短路,过压三种工作特性进行分析并且设计了保护电路,然后进行器件选型和SiC MOSFET驱动板的绘制。接着选择TI公司的TMS320F28335作为主控芯片,进行了主控电路的设计和PCB的制作。然后针对整个驱动器进行热设计,本章以驱动56V/8KW永磁同步电机为例,进行了热仿真,得出了热设计数... 

【文章来源】：冶金自动化研究设计院北京市

【文章页数】：96 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

宽禁带半导体材料和Si材料的对比

SiCMOSFET和SiMOSFET的标准化导通电阻比较

第1章绪论3图1-1宽禁带半导体材料和Si材料的对比图1-2SiCMOSFET和SiMOSFET的标准化导通电阻比较1.2SiC功率器件的发展现状Infineon公司首次生产出SiC功率器件SiCSBD，并且实现了商业化，SiC功率器件就如雨后春笋般陆续被其他公司研发生产出来，图1-3对于重要时间点SiC器件的问世做出了总结[20]。图1-3SiC器件商业化过程SiCSBD相对于Si二极管的优势主要体现在电压等级高、反向恢复过程几乎

【参考文献】：
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硕士论文
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本文编号：3591172