冷原子量子存储器的实验研究
【学位授予单位】:中国科学技术大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2015
【分类号】:O431.2;TP333
【图文】:
轴为光哄装载时间点相对于冷却光关断时间,纵轴为光哄陷俘原子团光学厚度峰值。用区域,也会影响俘获原子数目。图2.2的横坐标为光哄陷俘激光^u启时间点相对于冷却光关断的时间差;纵坐标为拍照光讲束缚原子布局的中心峰值位置的庿原子团光学厚度。激光波长为780.74nm,实验数据点是在关断冷却光,重新粟浦光,磁场等后等待26rns后的原子拍照得到的结果。可以看到,光讲激光与冷却光共存时间稍长,峰值原子的光学厚度就迅速减小。依照所测实验结果,我们设重新冷却光关断0.3ms后开启原子光讲陷俘。接着,我们测量了在光势讲波长780.54nm不同光讲哄深下,势讲所陷俘的原子总数的变化规律。参见图2.3,光哄陷俘原子总数原子与光势讲深近似成线性比例。物理图像上很直观,光势讲越深,可抓取原子系综的有效区域就越大。光哄俘获冷原子
我们测量了在光势讲波长780.54nm不同光讲哄深下,势讲所陷俘的原子总数的变化规律。参见图2.3,光哄陷俘原子总数原子与光势讲深近似成线性比例。物理图像上很直观,光势讲越深,可抓取原子系综的有效区域就越大。光哄俘获冷原子,我们关心和必须考虑的一个物理量,即原子俘获寿命。在只采用一个入射方向的光势讲,原子团很快地就被光散射出成像用CCD相机的工作区域。可精确测量原子团原子数目的时间尺度大致在五六十毫秒。超过该时间尺度,相当多的原子已移出CCD相机成像区域了。在实验数据分析上,很难得到原子数随陷俘时间的衰减寿命。17
【共引文献】
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本文编号:2728986
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