电子器件热可靠性及相关设备研究
【学位授予单位】:华中科技大学
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:TN05
【图文】:
图 2-1. 电子封装的作用多世纪的发展,其技术已日趋成熟,技术(SMT)、面阵封装技术、针栅着叠层封装和晶圆级封装(WLP)道。目前的封装技术正从单芯片封装。同时电子产品也朝小型化方向发展程中,也存在过一些问题和挑战。封装(SOP)和小型方块平面封装(QF就造成了封装密度低,占用较大的并增加了成本。随着芯片技术和封装以及硅通孔(TSV)器件[57-59]上封装的可能性就变得越来越明显、越来
图 2-3. 单颗 LED 的一种封装流程示意图在 LED 的封装过程中,采用新封装工艺和新材料,能大幅提高封装性能采用纳米材料作为基板可降低热阻[61];采用不同的硅胶材料,或对其进行改进行掺杂[63],能提高出光效率。不同的透镜工艺,出光效率也有所不同[64]。装工艺的优化,新材料的研究与替代,可以促进 LED 封装技术的发展。如良好的封装效果,则要对光、热、电和结构等因素进行综合考虑。2.1.2 IGBT 封装技术IGBT 为绝缘栅双极型晶体管,具有高输入阻抗和低导通压降等优点,比较小而且饱和压降比较低,适合应用于变频器、开关电源、轨道交通和交流世界上第一只 IGBT 是在 1982 发明[65]的,是将 MOS 和 BJT 技术结合起来而的。之后,IGBT 随着科学技术的快速发展,其生产工艺也不断成熟和完善IGBT 产品的性能得到了较大的提高。IGBT 已广泛应用于开关电源、逆变器
图 2-4. IGBT 结构及等效电路在使用过程中也产生了一些问题,例如,它对电流大小和电压要过流保护和过压保护[67];它在并联工作时存在电流大小不联工作时的均流问题[68, 69]。由于 IGBT 是大功率半导体器件高温度要求不能超过 125℃,因此需要采取恰当有效的散热装T 的封装研究方面,人们主要从封装材料、基板结构[70]、键面进行了研究。一些人提出了压接式的 IGBT 模块[74]和新型 IGBT 模块的可靠性和寿命进行了评估,或用实验和模拟的进行了研究。散热问题一直是限制 IGBT 应用的一大障碍。D 的散热研究
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本文编号:2754254
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