基于喷墨打印制备QLED器件的关键技术研究
发布时间：2020-12-28 10:32
量子点发光二极管（QLED）是一种新兴的无机纳米晶体自发光技术,由于材料的纳米尺寸效应,量子点（QDs）不仅可以产生R、G、B三基色且光谱半峰宽窄至28 nm,可实现很高的色纯度。随着喷墨打印制备有机发光二极管（OLED）显示面板产业技术的突破,采用相同制程的QLED显示技术正在成为开发下一代大尺寸新型显示面板技术关注的焦点。但是目前对于喷墨打印制备QLED器件的研究依然处于起步阶段,打印过程中还存在着层间溶剂侵蚀问题、墨水在膜层上的铺展问题、空穴传输材料体系不完善及层间界面问题,上述因素严重影响了喷墨打印QLED器件的性能。此外,要实现全溶液法制备QLED器件还需要进行顶电极的溶液法制备以替代真空蒸镀电极,摆脱QLED器件制备对高真空环境的依赖。为了解决上述的喷墨打印QLED器件中所存在的问题,本论文从三个方面进行了认真细致的研究,重点完成了以下三方面创新性工作:1.本论文将已在产业中应用的具有高空穴迁移率的聚合物空穴传输材料poly(9,9-dioctylfluorene-alt-N-（4-sec-Butyl phenyl）-diphenylamine（TFB）与本团队设计合成的交...
【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：109 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
图１．１?（ａ）第一个ＱＬＥＤ器件采用的两种器件结构及（ｂ）电致发光光谱Ａ??在量子点结构优化方面，最初的ＣｄＳｅ量子点结构还是采用的ＣｄＳｅ纯核的??
子来替代油酸酯长链配体，以此来调节优化ＰｂＳ?（硫化铅）量子点之间的距离，??从而优化了电荷注入／传输和激子辐射复合之间的平衡。Ｓｈｅｎ等人１１４］用１－辛硫醇??替换了蓝光量子点中的油酸配体，由于降低了点对点距离，较短的１－辛硫醇配体??改善了从聚合物空穴传输层到量子点层的空穴注入以及电子在量子点薄膜内的??传输。这些优点导致蓝光ＱＬＥＤ器件具有￣２．６?Ｖ的低启亮电压和最大１２．２％的??外量子效率（ＥＱＥ），与使用油酸配体的ＱＬＥＤ器件相比；最大外量子效率增加??了约７０％，如图１．２所示。??（ａ）???ｅ?（ｂ）８ｌ?１４??｜；：；?＿＾＾：：｜?｜４．?／＾＼－２！??－１〇＇?：１〇°＂?２－???ｉ１０．?＿—＿Ｊｎ??２?３?４?５?１０°?１０１?１０２?１?０３?１?０＾??Ｖ?（Ｖ）?Ｌ?（ｃｄ／ｍ２）??图１．２?Ｓｈｅｎ等人采用油酸配体和１－辛硫醇配体的ＱＬＥＤ器件的（ａ）Ｊ－Ｖ－Ｌ曲线以及（ｂ）ＥＱＥ－??Ｌ－ＣＥ曲线丨１４丨。??在ＱＬＥＤ器件结构优化方面，最初的器件结构中量子点层不仅作为发光层，??３??
Ｄ器件的器件能级结构示意图岡。??２００８年，Ｓｔｏｕｗｄａｍ等人［２１】发现使用ＺｎＯ纳米晶体可以作为ＱＬＥＤ器件的??电子传输层，同时使用有机材料ｐ〇ｌｙ（９－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）?（ＰＶＫ）作为空穴传输层，??这样发光层与电荷传输层均可以使用溶液法进行制备。ＺｎＯ纳米晶体分散在异??丙醇中，这样在旋涂ＺｎＯ时就不会对下层的量子点层造成破坏。尽管制备得到??的ＱＬＥＤ器件的效率很低，甚至不及不使用ＺｎＯ的器件，但是ＺｎＯ的引入使得??器件的启亮电压降低了?２?Ｖ左右（如图１．５所示），这说明ＺｎＯ与ＱＤ之间的电??子注入势垒很校于是，从那时起，研宄者们开始采用这种有机材料与无机材料??混杂的ＱＬＥＤ器件结构。??（ａ）?１?〇〇?—Ｉ—Ｉ—＇—Ｉ—？—Ｉ—＞——）—■￣—Ｉ—１—３?（ｂ）?￣１?＇?Ｉ?＇?ｉ?＇?ｔ?１?Ｉ?１??Ｐ?？０１５?．臣?＇??Ｅ?—〇—ＮｏＺｎＯ??互?￣２０?ｎｍ?ＺｎＯ??二?ｎｏ?ＺｎＯ?．／?Ｚ?一?—ｔ＊—?３２?ｎｍ?ＺｎＯ??嘗?１°：：以：認，／?，?＇??ｉ?＃?／?Ｉ?／?—叫??§?．?Ｓ?／?ＬＵ?．?ｆ??｜?１?／?！?？?０．０５－?ｊ??ｉ?／?／?：?｜??°－１ｉ?＇?２?？?４?＂＇ｅ?？?／?１?１０?＇?１２?」０．００Ｌｉ???Ｕ?Ｕ?０?２０?４０?６０?８０?１００??Ｂｂｓ?⑵?Ｃｕｒｒｅｎｔ?Ｄｅｎｓｉｔｙ?（ｍＡ／ｃｍ２）??图１．５?Ｓｔｏｉｍｄａｍ等人制备的使用ＺｎＯ以及不使用ＺｎＯ的ＱＬＥＤ器件的（ａ）Ｌ－Ｖ曲线和??（ｂ）ＣＥ－Ｊ曲线１川。??５??
【参考文献】：
期刊论文
[1]Full-color quantum dots active matrix display fabricated by ink-jet printing[J]. Congbiao Jiang,Lan Mu,Jianhua Zou,Zhiwei He,Zhenji Zhong,Lei Wang,Miao Xu,Jian Wang,Junbiao Peng,Yong Cao. Science China(Chemistry). 2017(10)
本文编号：2943602
【文章来源】：中国科学技术大学安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章页数】：109 页
【学位级别】：博士
【部分图文】：
图１．１?（ａ）第一个ＱＬＥＤ器件采用的两种器件结构及（ｂ）电致发光光谱Ａ??在量子点结构优化方面，最初的ＣｄＳｅ量子点结构还是采用的ＣｄＳｅ纯核的??
子来替代油酸酯长链配体，以此来调节优化ＰｂＳ?（硫化铅）量子点之间的距离，??从而优化了电荷注入／传输和激子辐射复合之间的平衡。Ｓｈｅｎ等人１１４］用１－辛硫醇??替换了蓝光量子点中的油酸配体，由于降低了点对点距离，较短的１－辛硫醇配体??改善了从聚合物空穴传输层到量子点层的空穴注入以及电子在量子点薄膜内的??传输。这些优点导致蓝光ＱＬＥＤ器件具有￣２．６?Ｖ的低启亮电压和最大１２．２％的??外量子效率（ＥＱＥ），与使用油酸配体的ＱＬＥＤ器件相比；最大外量子效率增加??了约７０％，如图１．２所示。??（ａ）???ｅ?（ｂ）８ｌ?１４??｜；：；?＿＾＾：：｜?｜４．?／＾＼－２！??－１〇＇?：１〇°＂?２－???ｉ１０．?＿—＿Ｊｎ??２?３?４?５?１０°?１０１?１０２?１?０３?１?０＾??Ｖ?（Ｖ）?Ｌ?（ｃｄ／ｍ２）??图１．２?Ｓｈｅｎ等人采用油酸配体和１－辛硫醇配体的ＱＬＥＤ器件的（ａ）Ｊ－Ｖ－Ｌ曲线以及（ｂ）ＥＱＥ－??Ｌ－ＣＥ曲线丨１４丨。??在ＱＬＥＤ器件结构优化方面，最初的器件结构中量子点层不仅作为发光层，??３??
Ｄ器件的器件能级结构示意图岡。??２００８年，Ｓｔｏｕｗｄａｍ等人［２１】发现使用ＺｎＯ纳米晶体可以作为ＱＬＥＤ器件的??电子传输层，同时使用有机材料ｐ〇ｌｙ（９－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）?（ＰＶＫ）作为空穴传输层，??这样发光层与电荷传输层均可以使用溶液法进行制备。ＺｎＯ纳米晶体分散在异??丙醇中，这样在旋涂ＺｎＯ时就不会对下层的量子点层造成破坏。尽管制备得到??的ＱＬＥＤ器件的效率很低，甚至不及不使用ＺｎＯ的器件，但是ＺｎＯ的引入使得??器件的启亮电压降低了?２?Ｖ左右（如图１．５所示），这说明ＺｎＯ与ＱＤ之间的电??子注入势垒很校于是，从那时起，研宄者们开始采用这种有机材料与无机材料??混杂的ＱＬＥＤ器件结构。??（ａ）?１?〇〇?—Ｉ—Ｉ—＇—Ｉ—？—Ｉ—＞——）—■￣—Ｉ—１—３?（ｂ）?￣１?＇?Ｉ?＇?ｉ?＇?ｔ?１?Ｉ?１??Ｐ?？０１５?．臣?＇??Ｅ?—〇—ＮｏＺｎＯ??互?￣２０?ｎｍ?ＺｎＯ??二?ｎｏ?ＺｎＯ?．／?Ｚ?一?—ｔ＊—?３２?ｎｍ?ＺｎＯ??嘗?１°：：以：認，／?，?＇??ｉ?＃?／?Ｉ?／?—叫??§?．?Ｓ?／?ＬＵ?．?ｆ??｜?１?／?！?？?０．０５－?ｊ??ｉ?／?／?：?｜??°－１ｉ?＇?２?？?４?＂＇ｅ?？?／?１?１０?＇?１２?」０．００Ｌｉ???Ｕ?Ｕ?０?２０?４０?６０?８０?１００??Ｂｂｓ?⑵?Ｃｕｒｒｅｎｔ?Ｄｅｎｓｉｔｙ?（ｍＡ／ｃｍ２）??图１．５?Ｓｔｏｉｍｄａｍ等人制备的使用ＺｎＯ以及不使用ＺｎＯ的ＱＬＥＤ器件的（ａ）Ｌ－Ｖ曲线和??（ｂ）ＣＥ－Ｊ曲线１川。??５??
【参考文献】：
期刊论文
[1]Full-color quantum dots active matrix display fabricated by ink-jet printing[J]. Congbiao Jiang,Lan Mu,Jianhua Zou,Zhiwei He,Zhenji Zhong,Lei Wang,Miao Xu,Jian Wang,Junbiao Peng,Yong Cao. Science China(Chemistry). 2017(10)
本文编号：2943602
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