基于极化调控的GaN基增强型HEMT器件研究

发布时间：2021-07-20 06:55

　　GaN基材料作为第三代半导体,由于其无可替代的特性逐渐成为了人们关注的焦点,对以GaN为基础的Ⅲ族氮化物（Ⅲ-N）及其器件的研究也越来越引起人们的重视。而随着近几十年来GaN基HEMT器件在微波功率电子领域的发展,铁电材料与GaN基材料的集成引起了许多研究者的关注,人们开始探索铁电材料和GaN基器件集成的更多的可能性。本文对基于PZT铁电栅介质的PZT/AlGaN/GaN HEMT器件进行了相关的研究,主要的研究内容和成果如下:（1）高性能的PZT/AlGaN/GaN HEMT增强型器件的制作。为了使得PZT在相对较薄的情况能够有较高的薄膜质量,使用PLD进行生长PZT之前,在PZT和AlGaN之间加入一层Al₂O₃缓冲层来缓解PZT和AlGaN的晶格失配,从而得到了质量相对较高的PZT栅介质。为了尽可能的减少介质/AlGaN之间的界面态,在沉积Al₂O₃的同时对器件进行了特殊的原位处理。经过缓冲层和原位界面处理技术的结合,得到了高性能的PZT/AlGaN/GaN HEMT器件。通过对器件的栅极进行... 

【文章来源】：西安电子科技大学陕西省 211工程院校 教育部直属院校

【文章页数】：120 页

【学位级别】：博士

【部分图文】：

半导体材料的带隙和晶格常数的关系

基于场板结构的AlGaN/GaNHEMT示意图

基于场板结构的AlGaN/GaNHEMT示意图


本文编号：3292367